鐵電半導體因其可切換極化、鐵電場調控以及半導體輸運特性等優勢，在鐵電晶體管和非易失性存儲器領域具有廣闊的應用前景。然而，制備同時具有強鐵電性和半導體特性的薄膜頗具挑戰。近年來，錫基鈣鈦礦半導體因其 p 型特性和較低的載流子有效質量備受關注，但具有強鐵電性的錫基鈣鈦礦半導體卻鮮有報道。高載流子濃度會屏蔽鐵電極化場，致使鐵電極化減弱甚至消失。因此，探索一種使錫基鈣鈦礦半導體具有鐵電性的新方法，對于實現低功耗器件和存儲器的應用至關重要。

復旦大學材料科學系的褚君浩院士和李文武研究員團隊提出了一種創新的分子重構策略，通過摻雜2-甲基苯并咪唑（MBI），成功將錫基鈣鈦礦半導體薄膜轉變為鐵電半導體薄膜，這一轉變源于分子重構。重構后的鐵電半導體表現出高達23.2 μC/cm²的剩余極化（Pr）。鐵電性的產生源于咪唑分子摻雜后氫鍵的增強，從而導致空間對稱性破缺，使得正負電荷中心不再重合。值得注意的是，基于鈣鈦礦鐵電半導體的晶體管表現出低于67 mV/dec的亞閾值擺幅（SS），進一步證實了引入鐵電性的顯著優勢。這一發現為基于錫基鈣鈦礦的鐵電器件提供了新的材料平臺，也為下一代電子器件的設計和發展開拓了廣闊前景。相關研究成果以“Emergence of ferroelectricity in Sn-based perovskite semiconductor films by iminazole molecular reconfiguration”為題，發表于國際著名學術期刊《Nature Communications》上。李文武研究員為通訊作者，材料科學系博士生劉昱為第一作者。

圖1 錫基鈣鈦礦薄膜的壓電原子力顯微鏡（PFM）、二次諧波光譜（SHG）和鐵電性能

研究團隊進一步將摻MBI分子的錫基鐵電鈣鈦礦應用于鐵電場效應晶體管（FeFET）中，研發了底柵頂接觸結構的器件（圖2a）。實驗結果顯示，原始晶體管的轉移曲線呈現出典型的界面缺陷和體缺陷捕獲載流子的特征（圖 2b），反向電流低于正向電流。而摻MBI后的FeFET，由于極化電場的作用，反向電流超過正向電流，展現出顯著的鐵電滯回現象。研究人員還對不同掃描速度、掃描范圍、漏源電壓和不同溫度下的轉移曲線進行了測量，發現掃描窗口基本保持一致，再次證明了滯后現象源于鐵電場效應晶體管（FeFETs）的鐵電性。同時，隨著MBI濃度的增加，器件的亞閾值擺幅（SS）從120 mV/dec降至67 mV/dec，充分表明該材料在低壓操作和低功耗器件方面有著的巨大潛力。

圖2 基于鐵電鈣鈦礦半導體的錫基晶體管的電學表征

本次工作中，基于鐵電鈣鈦礦半導體的錫基晶體管的常溫及變溫電學表征能夠精準完成，Lake Shore CRX-6.5K低溫探針臺發揮了重要的作用，它與Keysight B1500協同工作，為實驗數據的準確獲取提供了堅實的保障。

Lake Shore的 CVT（連續可變溫度）探針的設計，能夠抵消因熱脹冷縮導致的探針臂移動，確保在整個變溫循環過程中，探針尖端的著陸位置保持穩定。同時，CVT 探針可裝到現有平臺上，通過簡化和優化測量流程，以及拓展新的測量應用，提升Lake Shore探針臺的整體功能。

圖6 CVT適用變溫探針實物圖

與標準 ZN50R 探針相比，CVT 探針在變溫測試時無需頻繁重新定位，有效減少了調整探針位置的時間，降低了測量誤差。

圖7 標準探針和CVT探針比較

除了提高效率和更快獲得結果外，消除重復接觸定位帶來的差異，還能大幅降低測量誤差。即使是經驗豐富、操作熟練的用戶，也無法完全消除每次探針著陸時接觸電阻的變化。使用CVT探針，包括霍爾效應、柵控霍爾效應、電流-電壓（I-V）、反常霍爾效應（AHE）、磁阻（MR）、深能級瞬態譜（DLTS）、電容-電壓（C-V）、光致發光和塞貝克效應等測量，都會變得更加輕松便捷。