国产精品泄火熟女,日本av网站,国产三级Av一区二区三区

2025-01-10 17:02:53廢氣采樣技術(shù): 廢氣采樣技術(shù)是環(huán)境監(jiān)測中的重要環(huán)節(jié)，用于收集和分析大氣中的污染物。該技術(shù)通過選擇合適的采樣儀器和方法，如氣袋法、吸收瓶法、吸附管法等，將廢氣中的污染物捕集下來。采樣過程中需考慮污染物的性質(zhì)、濃度、采樣地點(diǎn)及環(huán)境條件等因素。采樣后，樣品會被送至實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行進(jìn)一步分析，以確定污染物的種類和濃度，為環(huán)境管理和決策提供科學(xué)依據(jù)。廢氣采樣技術(shù)對于保護(hù)大氣環(huán)境、維護(hù)公眾健康具有重要意義。

廢氣采樣技術(shù)相關(guān)內(nèi)容

全部
資訊
產(chǎn)品
問答

廢氣采樣技術(shù)資訊

【微課堂-名師講堂】環(huán)境空氣和廢氣采樣技術(shù)周火爆來襲！更有價(jià)值399元檢測資料大禮包免費(fèi)相送，快來報(bào)名吧！

環(huán)境監(jiān)測中涉及氣體監(jiān)測種類多、方法雜，如何正確選擇?

上海安譜實(shí)驗(yàn)科技股份有限公司 509
2022-07-26
廢氣采樣技術(shù) 環(huán)境空氣采樣儀器
公開征集《環(huán)境空氣顆粒物來源解析固定污染源廢氣顆粒物(PM2.5和PM10)稀釋通道采樣技術(shù)導(dǎo)則》標(biāo)準(zhǔn)編制研究驗(yàn)證測試單位

《環(huán)境空氣顆粒物來源解析固定污染源廢氣顆粒物(PM2.5和PM10)稀釋通道采樣技術(shù)導(dǎo)則》標(biāo)準(zhǔn)編制研究驗(yàn)證測試。

658
2022-07-10
顆粒物來源解析固定污染源廢氣顆粒物稀釋通道采樣技術(shù)導(dǎo)則

廢氣采樣技術(shù)產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱

所在地

價(jià)格

供應(yīng)商

咨詢

: VOCs采樣器污染源惡臭氣體采樣器廢氣VOCs采樣; 國內(nèi) 上海; 面議; 上海申源科學(xué)儀器有限公司
售全國; 我要詢價(jià) 聯(lián)系方式

: ZR-D18B型廢氣硫酸霧采樣管; 國內(nèi) 山東; 面議; 青島眾瑞智能儀器有限公司
售全國; 我要詢價(jià) 聯(lián)系方式

: ZR-D18B型廢氣硫酸霧采樣管; 國內(nèi) 山東; 面議; 青島眾瑞智能儀器有限公司
售全國; 我要詢價(jià) 聯(lián)系方式

: 廢氣二噁英采樣管; 面議; 青島眾瑞智能儀器有限公司
售全國; 我要詢價(jià) 聯(lián)系方式

: 聯(lián)用技術(shù); 國外美洲; 面議; 珀金埃爾默企業(yè)管理(上海)有限公司
售全國; 我要詢價(jià) 聯(lián)系方式

廢氣采樣技術(shù)問答

2025-04-17 16:41:25有組織廢氣采樣時(shí)，太陽直曬機(jī)器不工作有什么好的辦法嗎，求解: 有組織廢氣采樣時(shí)，太陽直曬機(jī)器不工作有什么好的辦法嗎，求解

2025-04-02 18:15:13采泥器的采樣面積是多少: 標(biāo)題：采泥器的采樣面積是多少采泥器作為一種廣泛應(yīng)用于地質(zhì)勘探、環(huán)境監(jiān)測和水域調(diào)查等領(lǐng)域的工具，它的設(shè)計(jì)和使用在采集泥土樣品時(shí)具有重要的作用。在進(jìn)行泥土樣品采集時(shí)，采樣面積的大小直接影響到樣品的代表性和性。因此，了解采泥器的采樣面積對于確保采集數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性至關(guān)重要。本文將圍繞采泥器的采樣面積進(jìn)行深入探討，分析其在不同應(yīng)用場景中的適用性，并提供相關(guān)的專業(yè)建議，幫助用戶更好地理解和選擇合適的采泥器。采泥器的采樣面積并非一成不變，而是受到多個(gè)因素的影響，包括采泥器的類型、設(shè)計(jì)尺寸以及所采樣的環(huán)境等。一般而言，采泥器的采樣面積與其開口直徑緊密相關(guān)。通常，采泥器的開口直徑越大，采樣面積也相應(yīng)增大。例如，常見的手動采泥器和機(jī)械采泥器的采樣面積大致在幾平方厘米至幾十平方厘米之間。通過對比不同型號的采泥器，用戶可以選擇適合自己需求的設(shè)備，以確保在采集泥土樣品時(shí)，所采樣本能夠代表該區(qū)域的土壤特征。對于不同的土壤類型和采樣要求，采泥器的采樣面積也需要進(jìn)行調(diào)整。在某些高精度環(huán)境監(jiān)測中，采樣面積較小的采泥器能夠更好地滿足局部采樣的需求。而在一些大范圍的勘探項(xiàng)目中，較大采樣面積的采泥器則能夠有效提高工作效率，縮短采樣時(shí)間。因此，選擇合適的采泥器時(shí)，除了考慮采樣面積外，還需要綜合評估其采樣深度、樣品提取的穩(wěn)定性以及樣品的保存條件等。總結(jié)來說，采泥器的采樣面積是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，它影響著泥土樣品的代表性與質(zhì)量。在選擇采泥器時(shí)，用戶應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合泥土特性、采樣深度等多個(gè)因素，合理選擇合適的設(shè)備。對于專業(yè)的勘探人員來說，深入了解采泥器的工作原理和采樣面積的關(guān)系，是確保工作精度和數(shù)據(jù)可靠性的基礎(chǔ)。

2023-06-07 09:27:14Tektronix泰克DSA8300數(shù)字采樣示波器80C07B 80C08D: 泰克DSA8300阻抗測試儀，滿足PCB，F(xiàn)PC，cable等阻抗測試；同時(shí)，可以進(jìn)行S參數(shù)測試。 TDR標(biāo)準(zhǔn)配置，分辨率：2.5μm，可滿足zui短10mm阻抗測試。特點(diǎn)1.多達(dá)4條真正差分通道，業(yè)內(nèi)zui低的噪底(450 fs)和zui高的垂直分辨率(16位)2.準(zhǔn)確的TDR，采用遠(yuǎn)程采樣頭，高帶寬(50 GHz)時(shí)域反射計(jì)3.光學(xué)模塊為155 Mb/s - 100 Gb/s的所有標(biāo)準(zhǔn)提供了優(yōu)秀的帶寬、靈敏度、噪聲性能和回波損耗(信號保真度)4.串行數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、串行數(shù)據(jù)鏈路和抖動/噪聲分析軟件包選項(xiàng)5.全面集成碼型同步觸發(fā)6.緊密集成時(shí)鐘恢復(fù)功能，準(zhǔn)確地進(jìn)行眼圖分析優(yōu)點(diǎn)1.在高分辨率、低噪聲的測量系統(tǒng)中使用真正差分TDR激勵(lì)源，提供優(yōu)秀的信號查看能力，滿懷信心地、準(zhǔn)確地檢定芯片和背板/連接器設(shè)計(jì)2.12ps入射階躍，使用遠(yuǎn)程采樣頭，把TDR頭放到被測器件附近，zui大限度地減少探頭、電纜和夾具的影響，解決直到1mm的阻抗不連續(xù)點(diǎn)3.準(zhǔn)確地、可重復(fù)地檢定155 Mb/s到40 - 100 Gb/s及以上速率的ITU和以太網(wǎng)設(shè)計(jì)4.使用一臺儀器進(jìn)行時(shí)域分析和頻域分析，降低測試成本。準(zhǔn)確地分析信號路徑，預(yù)測信號串?dāng)_和抖動，保證系統(tǒng)可靠運(yùn)行。使用抖動、噪聲和BER分析，確定眼圖閉上的確切原因5.集成高速觸發(fā)功能，支持zui苛刻的數(shù)字/邏輯碼型，保證準(zhǔn)確捕獲事件6.支持全面集成的時(shí)鐘恢復(fù)功能或時(shí)鐘恢復(fù)觸發(fā)攔截功能，在與泰克或第三方時(shí)鐘恢復(fù)儀器一起使用時(shí)，提供經(jīng)過校準(zhǔn)的解決方案，支持155 Mb/s - 100 Gb/s信令

2021-09-10 14:38:59一次性使用病毒采樣管/微生物采樣無菌管: 一次性使用病毒采樣管/微生物采樣無菌管病毒采樣管/進(jìn)口凍存管/儲存管1.5ml 2.0ml本生（天津）健康科技有限公司供應(yīng)：移液器吸嘴，ELISA試劑盒，動物血清，凍存管，全系熒光定量PCR耗材，產(chǎn)品包括：PCR單管、八聯(lián)管、96孔板、384孔板。產(chǎn)品貨號產(chǎn)品描述19311-2 加強(qiáng)型, 2.0ml凍存管, 自立, 滅菌, 內(nèi)旋，18℃到-180℃19311-2A 加強(qiáng)型, 2ml凍存管, 自立, 滅菌, 外旋, 18℃到-180℃S-2062 進(jìn)口2.0ml 螺旋蓋管帶o型圈, 自立,外旋，模刻印刷區(qū)，非滅菌S-2063 進(jìn)口2.0ml 螺旋蓋管帶o型圈, 彩色蓋, U型，模刻印刷區(qū)，非滅菌S-2062STM 2.0ml 螺旋蓋管帶o型圈, 自立,外旋，無印刷區(qū)，非滅菌，18℃到-20℃23-0015-ST 1.5ml凍存管，自立，外旋蓋，底部帶二維碼19335-4SPR 進(jìn)口1.5ml凍存管,自立,滅菌,平頂O環(huán)滅菌印刷刻度19335-5SPR 進(jìn)口1.5ml凍存管,U型底,滅菌,平頂O環(huán)滅菌印刷刻度19335-4SPRA 進(jìn)口1.5ml凍存管,深咖啡色避光，自立,滅菌,平頂O環(huán)滅菌印刷刻度S-2060 進(jìn)口1.5ml 螺旋蓋管帶o型圈,外旋，U型，模刻印刷區(qū)，非滅菌S-2061 進(jìn)口1.5ml 螺旋蓋管帶o型圈, 外旋，自立,模刻印刷區(qū)，非滅菌S-2060STM 1.5ml 螺旋蓋管帶o型圈,外旋，U型，無印刷區(qū)，非滅菌包裝規(guī)格： 500支/包， 2包/箱（1000支/箱）一次性使用病毒采樣管/微生物采樣無菌管病毒采樣管/進(jìn)口凍存管/儲存管1.5ml 2.0ml1.5ml可立凍存管無菌保存管/儲存管凍存管：凍存管又稱菌種保存管、磁珠保存管、磁珠凍存管。微生物實(shí)驗(yàn)室常用的菌種保存方法有牛奶法、甘油法、斜面法等。復(fù)雜程度各異，效果也差別很大。中文名:凍存管又稱:菌種保存管同類:保存方法有牛奶法、甘油法產(chǎn) 生:實(shí)驗(yàn)人員自行制作菌種保存管一次性使用病毒采樣管/微生物采樣無菌管產(chǎn)品優(yōu)勢：本生生物代理實(shí)驗(yàn)室耗材,PCR耗材品種全，可替代儀器原廠耗材，性價(jià)比高，質(zhì)量穩(wěn)定，對用戶可以節(jié)省實(shí)驗(yàn)成本。

2022-11-18 16:15:48反應(yīng)離子刻蝕技術(shù): 反應(yīng)離子刻蝕概述：反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進(jìn)行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導(dǎo)體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。工作原理：通常情況下，反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的整個(gè)真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側(cè)面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個(gè)反應(yīng)室。對反應(yīng)腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強(qiáng)電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進(jìn)行隨機(jī)碰撞, 當(dāng)電子能量大到一定程度時(shí), 隨機(jī)碰撞變?yōu)榉菑椥耘鲎? 產(chǎn)生二次電子發(fā)射, 它們又進(jìn)一步與氣體分子碰撞, 不斷激發(fā)或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復(fù)合。當(dāng)電子的產(chǎn)生和消失過程達(dá)到平衡時(shí), 放電能繼續(xù)不斷地維持下去。由非彈性碰撞產(chǎn)生的離子、電子及及游離基(游離態(tài)的原子、分子或原子團(tuán)) 也稱為等離子體, 具有很強(qiáng)的化學(xué)活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學(xué)反應(yīng), 形成揮發(fā)性物質(zhì), 達(dá)到腐蝕樣品表層的目的。同時(shí), 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進(jìn)行物理轟擊, 使得反應(yīng)離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應(yīng)離子刻蝕包括物理和化學(xué)刻蝕兩者的結(jié)合。刻蝕氣體的選擇對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團(tuán)反應(yīng)，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體。對于鍺材料、選用含F(xiàn) 的氣體是十分有效的。然而, 當(dāng)氣體成份中含有氫時(shí), 刻蝕將受到嚴(yán)重阻礙, 這是因?yàn)闅淇梢院头咏Y(jié)合, 形成穩(wěn)定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實(shí)驗(yàn)證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應(yīng)過程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發(fā)性氣體) 。設(shè)備：典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進(jìn)入，并通過底部離開真空泵系統(tǒng)。所用氣體的類型和數(shù)量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調(diào)節(jié)氣體流速和/或調(diào)節(jié)排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內(nèi)。存在其他類型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統(tǒng)中，利用RF供電的磁場產(chǎn)生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實(shí)現(xiàn)非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨(dú)的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產(chǎn)生定向電場以實(shí)現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。操作方法：通過向晶片盤片施加強(qiáng)RF（射頻）電磁場，在系統(tǒng)中啟動等離子體。該場通常設(shè)定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產(chǎn)生等離子體。在場的每個(gè)循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時(shí)撞擊室的上壁和晶片盤。同時(shí)，響應(yīng)于RF電場，更大質(zhì)量的離子移動相對較少。當(dāng)電子被吸收到腔室壁中時(shí)，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導(dǎo)致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產(chǎn)生大的負(fù)電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產(chǎn)生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但也可以通過轉(zhuǎn)移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應(yīng)離子的大部分垂直傳遞，反應(yīng)離子蝕刻可以產(chǎn)生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學(xué)蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù)，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進(jìn)版本是深反應(yīng)離子蝕刻，用于挖掘深部特征。