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德國EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統

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EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統,能夠方便快速的定位半導體芯片電路中的短路及失效點位置,不但可以對同層電路,而且可以對次表層,甚至表層下第三層、第四層電路進行失效點的準確定位,因此能夠對半導體芯片電路或相關材料進行快速準確的失效分析。在保留掃描電鏡高分辨率的前提下,能夠對同層芯片電路進行高準確定位,同時能夠對次表層甚至表面下第三、第四層電路進行失效點定位

詳細介紹


尚豐科技向用戶提供專業的的電子束吸收電流分析系統EBAC/RCI
 
EBAC/RCI原理

EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統,能夠方便快速的定位半導體芯片電路中的短路及失效點位置,不但可以對同層電路,而且可以對次表層,甚至表層下第三層、第四層電路進行失效點的精確定位,因此能夠對半導體芯片電路或相關材料進行快速準確的失效分析。

目前,集成電路芯片設計越來越復雜,關鍵尺寸和金屬連線線寬越來越小,傳統的失效點定位方法,如微光顯微鏡或光束又到電阻變化鞥,由于其分辨率不足,導致不能精確地定位電路故障點位置,電壓襯度方法雖然在一些開路短路失效分析中能快速地定位失效點,但只是局限于電路同層分析。

EBAC/RCI電子束吸收電流分析系統是基于掃描電鏡的分析系統,在保留掃描電鏡高分辨率的前提下,能夠對同層芯片電路進行高準確
定位,同時能夠對次表層甚至表面下第三、第四層電路進行失效點定位,因此越來越多的應用于先進制程芯片的失效分析。在涉及多層金屬層的失效定位分析時,EBAC/RCI方法更加簡便精確,可保證分析的成功率,并縮短分析周期。

EBAC/RCI acquisition

The lowest noise Electron Beam Absorbed Current (EBAC)
and Resistive Contrast Imaging (RCI)   


Find exact location of any open,resistive or shorting defect
 

  • Localize metal line cuts caused by cracking,corrosion, electro-migration, or foreign particles

  • Identify resistive opens caused by interface contamination at via interconnects

  • Pinpoint location for direct TEM lamella FIB preparation 

Characterize interconnects with highest resolution
 
  • Reveal electrical integrity of nets with sub-mciron lateral resolution and bridge from EFA to PFA

  • Diagnose fabrication and long term issues, including contamination,metal pattering defects, resistive interconnectors, or electro-migration

  • Directly isolate defects to the exact layer and die location, and improve them to product improvement actions
     


Verify device operation modes with built-in biasing for voltage contrast
  • Image bias/voltage contrast in delayered devices

  • Monitor operation of devices under bias

  • Compare imaged behaviour with device design


Localize defects in thin dielectric layers 
  • Visualise and localise weaknesses in gate oxide (GOX) and capacitor oxide (COX) before breakdown

  • Pinpoint oxides shorts caused by ESD or EOS with sub-micron resolution

  • Preserve the original defect signature with power dissipation in the lower nW range during localization


Access failures invisible in voltage contrast
  • Find low resistances that allow charge tunneling trough the interconnects

  • Investigate structures in contact with the silicon substrate

  • Characterize large metal structures



尚豐科技致力于引進推廣先進的材料、生物顯微觀測及微區分析儀器,向科研人員提供高附加值服務。

我們擁有一支涉及眾多領域高素質的應用支持團隊,為各行業的應用需求提供專業的解決方案和售后服務。

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