
- 2025-01-21 09:29:54多肽陣列技術(shù)
- 多肽陣列技術(shù)是一種高通量篩選技術(shù),它利用固定在固相支持物上的大量多肽,與特定的生物分子(如抗體、受體等)進行相互作用,從而快速鑒定出與目標分子結(jié)合的多肽序列。這種技術(shù)具有高效、靈敏、低成本等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于藥物研發(fā)、疾病診斷、疫苗設(shè)計等領(lǐng)域。通過多肽陣列技術(shù),研究人員能夠篩選出具有生物活性的多肽,為新藥開發(fā)提供候選分子,同時也有助于揭示生物分子間的相互作用機制。
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多肽陣列技術(shù)問答
- 2022-04-29 09:33:56什么是多肽芯片技術(shù)?
- 什么是多肽芯片?多肽芯片是一種新型的生物芯片,是研究蛋白質(zhì)與蛋白質(zhì)或其他物質(zhì)(如核酸、多糖、化合物)之間相互作用最直觀的研究技術(shù)。多肽芯片在諸多領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景,如疫苗開發(fā)、藥物研發(fā)和篩選、臨床檢測以及蛋白質(zhì)的基礎(chǔ)功能研究。 多肽芯片如何制備多肽芯片是將已知的蛋白序列或任意設(shè)計的氨基酸序列分解成包含重疊氨基酸的多肽片段,將這些多肽片段按一定次序固定在經(jīng)特殊處理過的載體基質(zhì)上,每張芯片包含成千上萬甚至更多的肽鏈。將待測物與芯片反應(yīng),經(jīng)過免疫檢測技術(shù)發(fā)現(xiàn)與待測物有結(jié)合反應(yīng)的位點/域,經(jīng)過圖像數(shù)據(jù)處理與分析,尋找蛋白質(zhì)/氨基酸與待測物的結(jié)合部位。 多肽芯片技術(shù)及儀器l 多肽芯片技術(shù)可高通量點樣,多肽芯片上承載大量的多肽片段,可快速高效的找到相應(yīng)結(jié)合位點/域;l 點樣技術(shù)穩(wěn)定可靠,多肽芯片上固載的多肽片段包含蛋白全序列,相對于原大分子蛋白質(zhì)而言更穩(wěn)定,不易分解失活,采集的數(shù)據(jù)更為準確;l 點樣靈活多樣,多肽片段可不局限于已知的蛋白結(jié)構(gòu),構(gòu)成多肽分子的氨基酸可以是進行過化學(xué)修飾的非天然氨基酸,在藥物研發(fā)和篩選方面具有很強的靈活性;l Aurora多肽芯片點樣儀:Aurora集團30年來致力于制造生物醫(yī)藥領(lǐng)域自動化高通量設(shè)備。Aurora多肽芯片點樣儀采用化學(xué)固相合成法,可按需制備穩(wěn)定的多肽微陣列芯片,如新冠病毒原始毒株及其突變體奧密克戎S蛋白、N蛋白的微陣列芯片,更多產(chǎn)品詳情可進一步了解產(chǎn)品價格或技術(shù)參數(shù)等信息【內(nèi)容源自Aurorabiomed公眾號《多肽芯片為什么那么火?》,轉(zhuǎn)載請注明】
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- 2022-04-19 10:44:29PF32-MLA微透鏡版SPAD陣列+TDC單光子計數(shù)相機新上市
- PF32不是一個單點的SPAD探測器,而是一個1024個單光子敏感SPAD像素陣列,具有超快的55ps時間分辨率、功能強大,高度緊湊的單光子計數(shù)探測器陣列。由于55ps TDC電路包圍著每個SPAD像素,導(dǎo)致標準版PF32單光子計數(shù)相機的光學(xué)填充因子只有1.5%。雖然55ps的時間分辨率和225kfps (8-bit)的吞吐量對于許多應(yīng)用至關(guān)重要,但1.5%的填充因子不免讓人覺得有些“捉襟見肘”,給科研人員帶來了極大的挑戰(zhàn)。為了有效的改善填充因子,Photon Force經(jīng)過持續(xù)不斷的努力,新推出了PF32-MLA微透鏡版本。該微透鏡版本是PF32 SPAD陣列+TDC 單光子計數(shù)相機的升級版本——每個SPAD像素上都有一個小透鏡(微透鏡),從而有效地將待測光信號聚焦到每個SPAD像素上。這使得PF32-MLA微透鏡版SPAD陣列+TDC 單光子計數(shù)相機的有效填充因子提高到>12%(均值)。產(chǎn)品特點? 新增:有效填充因子提高到>12%(均值)? 32×32像素 SPAD + 時間相關(guān)單光子計數(shù)(TCSPC)陣列? 每像素具有獨立光子計數(shù)? 光子計數(shù) 和 TCSPC 雙工作模式? Typ, 55ps分辨率? 8bit/10bit TDC, 最大包含255/1,023個時間通道? 8bit/16bit 光子計數(shù)深度? 高達150k/225k fps傳感器操作和讀取? 同步數(shù)據(jù)采集和讀出(無幀間死時間)? 外部激光同步輸入,用于TDC STOP信號? 單5V電源(附帶)? USB3 接口產(chǎn)品應(yīng)用? 量子成像 Quantum Imaging? 熒光壽命成像 FLIM? 激光雷達 LIDAR? 單光子成像產(chǎn)品參數(shù)如需了解更多詳情,請隨時咨詢我們的銷售工程師!東隆科技作為Photon Force國內(nèi)獨*家代理公司,在技術(shù)、服務(wù)、價格上都具有優(yōu)勢。如果您有任何產(chǎn)品相關(guān)的問題,歡迎隨時來電垂詢,我們將為您提供專業(yè)的技術(shù)支持與產(chǎn)品服務(wù)。
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- 2022-11-18 16:15:48反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)
- 反應(yīng)離子刻蝕概述:反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實現(xiàn)各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學(xué)反應(yīng),同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導(dǎo)體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等,廣泛應(yīng)用于物理,生物,化學(xué),材料,電子等領(lǐng)域。 工作原理:通常情況下,反應(yīng)離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側(cè)面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應(yīng)室。對反應(yīng)腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進行隨機碰撞, 當電子能量大到一定程度時, 隨機碰撞變?yōu)榉菑椥耘鲎? 產(chǎn)生二次電子發(fā)射, 它們又進一步與氣體分子碰撞, 不斷激發(fā)或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復(fù)合。當電子的產(chǎn)生和消失過程達到平衡時, 放電能繼續(xù)不斷地維持下去。由非彈性碰撞產(chǎn)生的離子、電子及及游離基(游離態(tài)的原子、分子或原子團) 也稱為等離子體, 具有很強的化學(xué)活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學(xué)反應(yīng), 形成揮發(fā)性物質(zhì), 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得反應(yīng)離子刻蝕具有很好的各向異性。所以,反應(yīng)離子刻蝕包括物理和化學(xué)刻蝕兩者的結(jié)合。 刻蝕氣體的選擇對于多晶硅柵電極的刻蝕,腐蝕氣體可用Cl2或SF6,要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比??涛g單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2;刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2;刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2;刻蝕Al(或Al-Si-Cu合金)的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4;刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4;刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過程可表示為:CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e,SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團反應(yīng), 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體。對于鍺材料、選用含F(xiàn) 的氣體是十分有效的。然而, 當氣體成份中含有氫時, 刻蝕將受到嚴重阻礙, 這是因為氫可以和氟原子結(jié)合, 形成穩(wěn)定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實驗證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應(yīng)過程可表示為:SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e,Ge + 4F——GeF4 (揮發(fā)性氣體) 。 設(shè)備:典型的(平行板)RIE系統(tǒng)包括圓柱形真空室,晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入,并通過底部離開真空泵系統(tǒng)。所用氣體的類型和數(shù)量取決于蝕刻工藝;例如,六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調(diào)節(jié)氣體流速和/或調(diào)節(jié)排氣孔,氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內(nèi)。存在其他類型的RIE系統(tǒng),包括電感耦合等離子體(ICP)RIE。在這種類型的系統(tǒng)中,利用RF供電的磁場產(chǎn)生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性,但可以實現(xiàn)非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中,ICP被用作高密度離子源,其增加了蝕刻速率,而單獨的RF偏壓被施加到襯底(硅晶片)以在襯底附近產(chǎn)生定向電場以實現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。 操作方法:通過向晶片盤片施加強RF(射頻)電磁場,在系統(tǒng)中啟動等離子體。該場通常設(shè)定為13.56兆赫茲的頻率,施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子,從而產(chǎn)生等離子體 。在場的每個循環(huán)中,電子在室中上下電加速,有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時,響應(yīng)于RF電場,更大質(zhì)量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時,它們被簡單地送到地面并且不會改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而,沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導(dǎo)致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產(chǎn)生大的負電壓,通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度,等離子體本身產(chǎn)生略微正電荷。由于大的電壓差,正離子傾向于朝向晶片盤漂移,在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),但也可以通過轉(zhuǎn)移一些動能來敲除(濺射)某些材料。由于反應(yīng)離子的大部分垂直傳遞,反應(yīng)離子蝕刻可以產(chǎn)生非常各向異性的蝕刻輪廓,這與濕化學(xué)蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù),例如壓力,氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應(yīng)離子蝕刻,用于挖掘深部特征。
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- 2022-05-06 09:04:16多肽芯片能用在哪里?
- 多肽芯片能用在哪里?多肽芯片是一種新型的生物芯片,是研究蛋白質(zhì)與蛋白質(zhì)或其他物質(zhì)(如核酸、多糖、化合物)之間相互作用最直觀的研究技術(shù)。多肽芯片在諸多領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景,如疫苗開發(fā)、藥物研發(fā)和篩選、臨床檢測以及蛋白質(zhì)的基礎(chǔ)功能研究。 多肽芯片可用在抗原表位篩選、藥物開發(fā)及篩選、臨床檢測等。l 多肽芯片在抗原表位篩選方面體現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢,可大量縮短開發(fā)時間,為前期的抗體篩選提供準確的指標和快速的反饋;l 多肽芯片為藥物開發(fā)及篩選提供有效的解決平臺,可有效提高新藥研發(fā)的成功功率,降低研發(fā)失敗的可能性,加快藥物研發(fā)進程;l 現(xiàn)代醫(yī)療技術(shù)顯示,大多數(shù)疾病與蛋白質(zhì)表達異常有關(guān),通過檢測患者樣本中的蛋白活性即可找到其發(fā)病機理,多肽芯片技為該難題提供了快捷的方法,使得對癥下藥成為可能。 Aurora提供多肽芯片的制備用到的微陣列點樣設(shè)備——多肽芯片點樣儀Aurora多肽芯片點樣儀采用化學(xué)固相合成法,可按需制備穩(wěn)定的多肽微陣列芯片,如新冠病毒原始毒株及其突變體奧密克戎S蛋白、N蛋白的微陣列芯片,更多產(chǎn)品詳情可進一步了解產(chǎn)品價格或技術(shù)參數(shù)等信息,直接聯(lián)系A(chǔ)urora員?!緝?nèi)容源自Aurorabiomed公眾號《多肽芯片為什么那么火?》,轉(zhuǎn)載請注明】Aurora集團30年來致力于制造生物醫(yī)藥領(lǐng)域自動化高通量設(shè)備。
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- 2023-07-03 13:26:49纖維素測定儀技術(shù)特點
- 纖維素測定儀技術(shù)特點: 1.可同時處理3個樣品 2.樣品量:0.5-3g 3.重現(xiàn)性:
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