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2025-01-21 09:34:25促成技術交易及轉化科技成果獎勵
“促成技術交易及轉化科技成果獎勵”是指為鼓勵技術交易、促進科技成果轉化而設立的獎勵機制。該機制旨在激勵科研機構、高校、企業及個人等積極參與技術轉移和成果轉化,推動科技創新與經濟發展深度融合。通過獎勵成功促成技術交易、實現科技成果產業化的單位或個人,有助于提升科技成果的轉化率和應用效益,加速科技向現實生產力轉化,為經濟社會發展注入新的活力。

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2022-05-23 14:36:19氣體發生器基本原理及技術特點
一、氫氣發生器原理以二次蒸餾水為原料,添加10%KOH作為電解質,產生99.999%的高純氫氣.電解質采用新型恒流開關電源,根據用戶實際用氣量調節輸出電流,從而實現流量自動跟蹤.并設有過壓保護裝置,確保使用絕dui安全。二、氮氣發生器基本原理采用現代燃料電池技術,先將空氣中的O2在外加電源的作用下與H2O反應生成OH-,然后在電場力作用下,實現氣液分離,最后將OH-還原成O2和H2O,從而將空氣中的N2和O2分離。化學式:O2+2H2O+4e=4OH-由于采用了優化設計的催化劑,使用提純后的N2中殘氧量極低(3ppm以下),如再經過后期脫氧處理,殘養量可進一步降低1ppm以下,因此可以滿足各種檢測器對載氣純度的要求。其它微量雜質如CO、H2O等采用物理吸附方法去除。三、特點1.使用安全使用時氣壓低,關機后殘余氣量少,并有過壓保護裝置,使用絕dui安全;2.操作方便隨開隨關,免除搬運之苦,真正一勞永逸;3.成本低廉氫氣發生器使用過程中只消耗蒸餾水,最da功率150VA;氮氣發生器只消耗空氣(需另接空氣源),最da功率100VA;4.結構緊湊外觀優美,占地面積小,使實驗室實現儀器化;四、三氣發生器使用注意事項1.開機順序:①檢察氮氣開關閥處于“關”位置(向內);② 打開空氣源開關,空氣和氮氣壓力逐漸上升;③ 待空氣,氮氣壓力升至0.35MPa時,打開氫氣和氮氣電源開關;④待氮氣排空30分鐘以后,打開氮氣開關閥,此時氮氣流量由氣相色譜儀控制;氫氣在流量指示為“000”后可以使用,流量也由氣相色譜儀控制;2.關機順序:關機順序剛好相反,即先關氮氣開關閥,再依次關氮氣,氫氣和空氣電源開關。單獨使用氫氣時,應先開空氣電源開關;單獨使用氮氣時,也需同時打開氫氣電源開關。注意液體高度,在接近下限時應及時添加蒸餾水,但不要超過上限.建議每半年更換一次電解質.請勿在無液狀態下開啟氮氣或氫氣電源開關!注意干燥管內變色硅膠的顏色(儀器背部左下方的變色硅膠也要注意觀察),變為粉紅色后應及時更換,方法參見說明書。在空氣潮濕的季節,空氣儲氣罐中會有少量殘留水分,可以從儀器背部的"放液口"排出.方法是:在儀器停止工作后,將防液口的密封螺母松開,利用氣罐中的空氣壓力將水分壓出,完畢后將密封螺母重新擰好。在維護儀器時,如需降壓,應通過色譜或氣源上的流量閥排氣,請勿直接從接頭處放氣,以免壓力突然降低,損壞氣路元件。
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2022-11-20 14:58:54常見芯片開封技術及儀器簡介
常見芯片開封技術及儀器簡介 Wayne Zhang(似空科學儀器(上海)有限公司)2022.10.11        芯片失效分析(FA, Failure Analysis)的常見方法中,包含非破壞性分析(無損檢測,如超聲波、X-RAY分析)、破壞性物理分析(有損檢測,如芯片開封/開蓋、切片制樣)、I-V電氣特性分析、EMMI微光檢測等。       其中芯片開封/開蓋分析是DPA(破壞性物理分析)的重要手段,是研究芯片封裝效果和技術的一種必要方法。       本文簡單概述常見芯片開封技術和儀器。       1、機械開封    其原理是用應力直接去除芯片的封裝材料,屬于物理開封。常規機械工具及專用切割、研磨、銑刨、拋光等儀器就可應用于這種方式。其優點是簡單直觀,根據精度要求,可選儀器價格范圍很寬(甚至拿把螺絲刀也可以,在特殊情況下)。缺點是開封的幾何形狀不太容易控制,總體來講精度比較低,容易導致對應力敏感的樣品破碎,或者由于儀器需要用耗材而造成“二次污染”。當然,這個領域也有精度可達1微米,幾何形狀可編程的儀器,比如,美國ALLIED公司的銑削、研磨、拋光一體機X-PREP。但這種高端儀器,價格幾十萬美元,且對“敏感單位”禁運。   點擊了解更多 //                                                         2、化學開封    其原理是用硝酸、硫酸及其混合液對芯片封裝材料進行腐蝕,屬于化學開封。優點是沒有物理應力,不會造成樣品破碎,并且不會傷害硅等耐酸的半導體材料的電氣特性。缺點是所用材料為強酸,對人體危害大,建立實驗室和購買耗材收到政府嚴格管控,開封速度較慢,如果芯片中有耐酸性不好的走線則需要特殊處理。另外,其開封效果受到四種參數的影響,包括酸配比、流速、溫度、腐蝕時長,對操作人員有一定的經驗要求。      目前該領域沒有國產的專用儀器,市面上常見的是美國NISENE的JetEtch系列和美國RKD的Elite Etch系列。   點擊了解更多 //                                                        3、激光開封    其原理是用高能激光灼燒局部區域導致塑封材料粉碎脫落。優點是效率高,幾何形狀可編輯,沒有二次污染,不需要強酸暴露,屬于物理開封。缺點是會產生局部高溫,容易導致半導體材料電氣屬性失效,所以一般只能開封到半導體材料表面,后續殘留封裝材料需要其它手段去除。該領域的專用設備供應商國內外都有,目前國產化程度越來越高,價格相比進口設備有了明顯下降,并且性能和實用性已經和進口設備沒有差距。   點擊了解更多 //                                                      4、等離子開封    其原理是通過電場功率將反應氣體離子化后與需要去除的材料接觸并產生化學反應而揮發。總體上屬于化學開封,也有同時采用化學和物理機制的。優點是沒有物理應力,精細化程度高,不攻擊敏感材料,可到達細孔凹陷部位。缺點是速度慢,價格昂貴。      該領域的專用設備供應商主要來自歐洲和美國。     點擊了解更多 //                                                       5、離子開封    其原理是通過高壓電場加速帶電離子,用其轟擊目標材料,使它們脫落。本質上是物理開封,帶有某些化學效果。優點是精度非常高,可處理多種目標材料。缺點是不容易控制幾何形狀,速度慢,儀器價格昂貴。該領域的專用設備供應商主要來自日本、歐洲和美國。  點擊了解更多 //                                                 
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2022-11-02 23:50:36兆聲清洗技術原理、優勢及應用
1 兆聲清洗技術背景Schwartzman等人,1993在SC1、SC2清洗時使用了兆頻超聲技術,獲得前所未有的清洗效果,使得該方法在清洗工藝中被廣泛采用,也引發了對超聲波增強清洗效果的規律與機理的研究。1995年Busnaina的研究表明,兆頻超聲波去除粒子的能力與溶液的組成、粒子的大小、超聲波的功率及處理時間有關。1997年Olim發現兆頻超聲去除粒子的效率與粒子直徑的立方成正比,并由此推斷兆頻超聲無法去除0.1μm以下的粒子。但是,兆聲波清洗拋光片可去掉晶片表面上<0.2μm的粒子,起到超聲波起不到的作用。這種方法能同時起到機械擦片和化學清洗兩種方法的作用。兆聲波清洗方法已成為拋光片清洗的一種有效方法。但是,隨著頻率升高,聲傳播的效率會降低,所以兆聲波清洗技術效果并不是頻率越高越好。目前,一般用的頻率范圍是(700~1000)kHz。2 兆聲波清洗原理簡介聲能在液體內傳播時,液體會沿聲傳播的方向運動,形成聲學流(Acousticstreaming),聲學流是由聲波生產的力和液體的聲學阻力以及其他的氣泡阻力形成的液體的流動的效果,兆聲波清洗就是利用聲能產生的液體流動來去除硅片表面的污染物,其原理見圖1。兆聲波清洗是由高頻(700~1000kHz)的波長短(1.5μm左右)的高能聲波推動溶液做加速運動,使溶液以加速的流體形式連續沖擊硅片表面,使硅片表面的顆粒等污染物離開硅片進入溶液中,達到去除污染物的目的。隨著聲能的增高,表面張力會下降,這可改善浸潤效果及小顆粒的浸潤。而且,能量越高,聲學流的速度越快,硅片表面被帶走的顆粒也隨之增多反應速率也會升高,這可降低反應時間,同時,也可以降低化學液的濃度。隨著頻率升高,空洞現象的閥值會升高,所以兆聲不會像超聲一樣會產生氣泡而損傷硅片表面。而根據超聲頻率的高低對應的去除污染物顆粒大小的能力,選用的頻率見表1。3 兆聲波清洗技術的特點(1)美國VERTEQ公司的M.Olesen.Y.Fan等人研究發現,兆聲技術有如下特點。能大大降低邊界層的厚度,使其具有清除深亞微米顆粒的能力,可滿足現行工藝以及0.1μm(線寬)技術對清洗工藝的需求。有兆聲時邊界厚度的對比(見圖2)。(2)可以極大的提高清洗效率,從圖3有無兆聲時的清洗效率對比圖中可以看到,當兆聲關閉時,用30s的時間清洗效率只能達到20%,有兆聲時,只需10s的時間清洗效率就可達到99.99%。(3)由于兆聲波清洗可以使用稀釋倍數大的化學液,從而大大減少了化學藥品的用量和消耗,降低了清洗工序的工藝成本,有效減少了化學液的污染,保護環境。圖3是在極低濃度的化學液中有無兆聲的清洗效果對比圖。由于兆聲波清洗具備以上諸多優點,因此使得兆聲波清洗很快成為硅片清洗行業中廣泛應用于去除微細顆粒的重要手段。4 兆聲波清洗技術在清洗設備中的應用結合常規的濕法清洗工藝開發出適合相關工藝階段的兆聲清洗設備,按照這些設備的不同結構,大體可分為兩類,一類是融匯在濕法清洗機兆聲清洗槽或兆聲漂洗槽,它們作為設備的一部分,只完成單個的清洗或漂洗過程。另一類則是以獨立的設備形式出現。這就是兆聲清洗機,該種設備通常配備兩個槽體,一個清洗槽和一個沖洗槽,清洗槽是在兆聲環境下用化學液來去除硅片表面的微細顆粒及化學污染物等,沖洗槽則是對清洗完的硅片用去離子水進行沖洗,從而達到生產需要的潔凈度。但是由于兆聲傳播是一種介質傳播,聲音傳播中的能量會轉化成介質的動能,因此在使用兆聲清洗的同時會產生兆聲能量的衰減。導致能量衰減的因素,首先是兆波的反射,如圖4所示。兆聲能量的衰減可通過以下公式計算:衰減系數γ可表示為:γ=γ吸收+γ分散;γ分散在液體中,不在計算內。在水液體中,γ吸收系數(dB/m)=0.2F2(MHz)。由此計算可得,在頻率為950kHz時,衰減度約為0.002dB/m;在頻率為40kHz時,衰減度約為0.000003dB/m,在水液體中,兆聲波衰減約為低頻超聲波衰減的1000倍,如圖5所示。因此,在兆聲清洗中,液位不能超過500mm。而在低頻超聲波中,超聲波能量可傳至(1.5~2)m高。安裝時,石英缸底部有一定傾斜角度更利于高頻兆聲波的傳播,由圖7中角度與聲壓的關系可知,當θ=2°時,最有利于兆聲波的傳播。由于聲波傳播時一種介質傳播,因此在不同的頻率下石英缸作為傳遞介質,它的厚度也對兆聲的傳播有一定影響。通過下面公式可以計算出不同介質中聲波的傳播率D:從圖8可見,當厚度t=3mm時,兆聲波在石英中具備更好的傳播率。兆聲發生器在石英循環溢流槽中的安裝原理見圖9。5 兆聲清洗技術應用領域由于兆聲波能去除硅片表面的微小顆粒,并且不會對硅片表面造成損傷,近幾年兆聲波清洗被大量的應用在清洗工藝中。兆聲波用在SC-1中,可提高去除顆粒尤其是小顆粒的效果;用在DHF,臭氧水、純水中都能起到增強清洗效果的作用。目前兆聲清洗技術被廣泛應用于液晶、手機鏡片、光學器件照相機鏡頭制造業,汽車、摩托車制造業,電子、微電子、電子電器元器件制造業,五金業、機械的零件業,航天、航空清洗精密零部件業,鐘表、眼境、珠寶制造業,家電產品制造業,電鍍業,鐵路機車造業等各個行業。(轉)具體應用涉及:帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗CMP處理后的晶圓片清洗晶圓框架上的切粒芯片清洗等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗帶保護膜的分劃版清洗掩模版空白部位或接觸部位清洗X射線及極紫外掩模版清洗光學鏡頭清洗ITO涂覆的顯示面板清洗兆聲輔助的剝離工藝
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2022-04-25 11:33:18三氣培養箱技術特點及工作原理
三氣培養箱技術特點及工作原理  1.  CO 2 氣體濃度檢測采用先進的超聲傳感器,測定聲波在不同CO 2 濃度氣體中的傳播速度,計算出CO 2 氣體濃度。工作時,傳感器無機械磨損,響應速度快,可靠性能高,穩定性能好,且使用壽命長。此項可選配進口紅外傳感器,響應速度更快,度更好。    2.   O 2 氣體濃度檢測采用進口長壽命的電化學氧氣傳感器,具有線性度好,檢測準確等特點,壽命長達五年,能充分滿足用戶需要。此項可選配進口紅外傳感器,響應速度更快,度更好。    3.  溫度檢測全部采用半導體熱敏集成型溫度傳感器,性能穩定,線性度好。獨立的水溫和門溫控制,由五個面的水溫和一個面的門溫合成工作室溫度,準確度高。    4.  O2氣體濃度小于19%時,采用先進N 2 氣體,到達O 2 濃度設定值后,再進CO 2 氣體的方式,保證CO 2 氣體濃度和O 2 濃度的準確性。    5.  O2氣體濃度大于23%時,采用先進O 2 氣體,到達O 2 濃度設定值后,再進CO 2 氣體的方式,保證CO 2 氣體濃度和O 2 濃度的準確性。    6.  箱內采用微風循環方式,使空氣循環接近自然界空氣對流,縮短溫度、濕度、O 2 濃度和CO 2 濃度的恢復時間,確保溫度、濕度、O 2 濃度和CO 2 濃度的均衡性。    7.  箱門打開時,電子閥自動關閉微風循環自動停止,減少氣體損失,可以節約氣源,并減少因外界空氣進入箱內而造成的污染。    8.  單獨的門溫控制系統,使箱內恒溫控制極少受到環境溫度變化的影響。    9.  溫度、氣體濃度,均采用數字顯示,門加熱、水加熱、進氣、水位高、低都有LED顯示,直觀、清晰、準確。    10.  具有水溫,室溫,數字等多種保護功能,當顯示溫度超過預置溫度時,可自動切斷全部加熱電源。另外具有獨立的水超溫繼電保護功能,保證溫度絕不超過預置值。    11.  有足夠大的水套容積和良好的保溫性能。    12.  水盤自然蒸發加濕,濕度達到95% 三氣培養箱 技術參數1.  控溫范圍  室溫 +3℃~60℃(例:溫度設定值為37℃,環境溫度應小于34℃)2.  恒溫控制精度 ±0.2℃3.  溫度均勻性±0.2℃4.  O 2 濃度控制范圍1.0%--19.8%和23.0%-50.0%(可達到98%)5.  O 2 濃度控制精度 1~5%時為±0.2%,5%~20%時為±0.3%6.  CO 2 濃度控制范圍 0%--20%7.  CO 2 濃度控制精度 0~5%時為±0.2%,5%~20%時為±0.3%8.  電源 220V 50HZ9.  功率 小于450W10.  O 2 濃度正常下降至置定值的時間小于10分鐘(O 2 濃度為1%時)11.  CO 2 濃度正常上升至置定值的時間小于10分鐘(CO 2 濃度為5%時)
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2022-02-25 14:02:51氣體發生器的技術特點及注意事項
氣體發生器的技術特點及注意事項氣體發生器特點:1.操作方便隨開隨關,免除搬運之苦,真正一勞永逸;2.使用安全使用時氣壓低,關機后殘余氣量少,并有過壓保護裝置,使用優良安全;3.成本低廉氫氣發生器使用過程中只消耗蒸餾水,zui大功率150VA;氮氣發生器只消耗空氣(需另接空氣源),zui大功率100VA;4.結構緊湊外觀優美,占地面積小,使實驗室實現儀器化;氣體發生器使用注意事項1.開機順序:①檢察氮氣開關閥處于“關”位置(向內);② 打開空氣源開關,空氣和氮氣壓力逐漸上升;③ 待空氣,氮氣壓力升至0.35MPa時,打開氫氣和氮氣電源開關;④待氮氣排空30分鐘以后,打開氮氣開關閥,此時氮氣流量由氣相色譜儀控制;氫氣在流量指示為“000”后可以使用,流量也由氣相色譜儀控制;2.關機順序:關機順序剛好相反,即先關氮氣開關閥,再依次關氮氣,氫氣和空氣電源開關。單獨使用氫氣時,應先開空氣電源開關;單獨使用氮氣時,也需同時打開氫氣電源開關。注意液體高度,在接近下限時應及時添加蒸餾水,但不要超過上限.建議每半年更換一次電解質.請勿在無液狀態下開啟氮氣或氫氣電源開關!
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