- 2025-01-21 09:31:20立體探測技術
- 立體探測技術是一種先進的探測手段，它通過多角度、多層次的探測方式，實現對目標物體或場景的三維空間信息獲取。該技術能夠精確測量目標的形狀、尺寸、位置等參數，具有高精度、高效率、高可靠性的特點。在地質勘探、環境監測、建筑測量、航空航天等領域有廣泛應用，為科學研究、工程設計及災害預警等提供了重要的數據支持。立體探測技術的發展推動了相關領域的科技進步，促進了探測技術的智能化、自動化水平的提升。
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立體探測技術資訊
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立體探測技術問答
- 2022-06-15 08:38:05如何用腦立體定位技術做神經科學腦部注射實驗？
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- 2022-12-30 11:41:53電力設備蒸汽冷凝水中乙二醇泄漏的早期探測
- 背景礦物燃料與核電力設施使用換熱器，使工藝蒸汽冷凝回到液體形態。熱交換器的工作原理是，通過從一種介質（蒸汽）中轉移熱量至另一種介質（空氣、水、或乙二醇）中。很多新近的封閉式冷卻水系統、電力設施使用乙二醇（C2H6O2）作為熱傳遞液體，因為乙二醇有很高的熱傳遞效率。雖然乙二醇是超級好的熱傳遞流體，但如果它從冷卻器中泄漏并進入冷凝蒸汽中時，會造成嚴重問題。在升高的溫度與壓力下，水中乙二醇會降解為有機酸，會酸化冷凝液，導致系統內快速的腐蝕。有機酸的增長也會嚴重破壞離子交換樹脂床與礦物質脫除塔。發現早期針孔大的熱交換器泄漏，對于保持維護電力設施與工藝設備的完整性，非常重要。雖然很多工廠使用痕量水平的胺來中和，來控制回路的pH，但這些胺常規地都是按照控制來自二氧化碳溶解產生的碳酸，來給藥的。乙二醇泄漏造成的有機酸的大量流入，很容易壓垮這種pH控制，并造成冷凝液明顯的酸化。問題電廠通常檢測pH與陽離子電導率來監測蒸汽回路水的純度。然而，那些參數并不總是足夠。充分早地探測乙二醇的早期泄漏以預防顯著的下游問題十分重要。因為pH與陽離子電導率的偏離，僅僅在乙二醇分解之后才產生，這些檢測對于探測泄漏來說，經常已經太晚了。水中乙二醇在熱的高壓蒸汽回路中降解。如果熱交換器中發生泄漏，這種泄漏的現象在乙二醇降解之前，可能無法通過pH與電導率探測到。在這一點上，工藝設備（例如：礦物質脫除塔、樹脂床、冷凝液拋光器、鍋爐、渦輪機等）可能已經暴露在酸性的冷凝液或蒸汽中。乙二醇是一種含碳38.7%的有機分子，因此能夠使用在線、連續的總有機碳（TOC）分析來探測到。Sievers? M系列在線TOC分析儀能夠在乙二醇在冷凝液蒸汽中降解之前，更早地檢測到乙二醇的泄漏。解決方案在Sievers分析儀進行的實驗室研究中，Sievers M系列TOC分析儀表現出對乙二醇的回收率在97.3%－99.1% ，對于碳含量在0.5－25 ppm 碳 （1.3－64.7ppm 乙二醇）。Sievers M系列TOC分析儀的回收率總結如下表：在圖2中，分析儀顯示出對檢測乙二醇有高的線性響應?；诙炕厥章剩ā?7.3%），與高度的線性（R2=1.0000），Sievers M系列TOC分析儀很適用于檢測冷凝液蒸汽中寬廣范圍的乙二醇濃度。幾個著名的組織（EPRI、VGB、與 Eskom）建議100－300 ppb作為蒸汽循環補給水的合適的背景TOC水平。水或蒸汽循環中的這個TOC背景很好地位于Sievers M系列TOC分析儀的檢測水平0.03 ppb之上，同時這個TOC背景也足夠低，可以輕松檢測背景TOC濃度之上的乙二醇泄漏造成的TOC偏移。由于乙二醇泄漏造成的事故的成本，從設備維修與更換、以及停產期間損失的能量產出等方面，可能是成百上千美元。由于乙二醇有毒并有危險，額外的緩和被污染的冷凝水也非常關鍵。使用Sievers M系列在線TOC分析儀，冷凝蒸汽每2分鐘被分析一次，提供給設備操作者高解析度的數據，使用這些數據，可以快速識別并解決使用乙二醇溶液的熱交換器的泄漏。參考文獻1.Berry, D. and Browning, A. Guidelines for SelectingandMaintaining Glycol Based Heat Transfer Fluids.2011. Chem-Aqua, Inc.2.EPRI Lead in Boiler Chemistry R&D. PersonalCommunication. January 28, 2015.3.Ethylene vs. Propylene Glycol. www.dow.com.Accessed January4.22,2015.http://www.dow.com/heattrans/support/selection/ethylene-vs-propylene.htm.5.Heijboer, R., van Deelen-Bremer, M.H., Butter, L.M.,Zeijseink, A.G.L. The Behavior of Organics in aMakeup Water Plant. PowerPlant Chemistry. 8(2006):197-2026.Faroon, O., Tylenda, C., Harper, C.C., Yu, Dianyi,Cadore, A., Bosch, S., Wohlers, D., Plewak, D.,Carlson-Lynch, H. Toxicological Profile for EthyleneGlycol. 2010. US Agency for Toxic Substances andDisease Registry (ASTDR).7.Maughan, E.V., Staudt, U. TOC: The ContaminantSeldom Looked for in Feedwater Makeup and OtherSources of Organic Contamination in the Power Plant.PowerPlant Chemistry. 8(2006): 224-233.8.Rossiter, W.J. Jr., Godette, M., Brown, P.W., Galuk,K.G. An Investigation of the Degradation of AqueousEthylene Glycol and Propylene Glycol Solutions usingIon Chromatography. Solar Energy Materials. 11(1985): 455-467.9.Vidojkovic, S., Onjia, A., Matovic, B., Grahovac, N.,Maksimovic, V., Nastasovic, A. Extensive FeedwaterQuality Control and Monitoring Concept forPreventing Chemistry-related failures of Boiler Tubesin a Subcritical Thermal Power Plant. Applied ThermalEngineering. 59(2013): 683-694.
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- 2022-11-18 16:15:48反應離子刻蝕技術
- 反應離子刻蝕概述：反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應用于物理，生物，化學，材料，電子等領域。 工作原理：通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進行隨機碰撞, 當電子能量大到一定程度時, 隨機碰撞變為非彈性碰撞, 產生二次電子發射, 它們又進一步與氣體分子碰撞, 不斷激發或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復合。當電子的產生和消失過程達到平衡時, 放電能繼續不斷地維持下去。由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態的原子、分子或原子團) 也稱為等離子體, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得反應離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。 刻蝕氣體的選擇對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應過程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團反應， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發性氣體。對于鍺材料、選用含F 的氣體是十分有效的。然而, 當氣體成份中含有氫時, 刻蝕將受到嚴重阻礙, 這是因為氫可以和氟原子結合, 形成穩定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實驗證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應過程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發性氣體) 。 設備：典型的（平行板）RIE系統包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入，并通過底部離開真空泵系統。所用氣體的類型和數量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調節氣體流速和/或調節排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內。存在其他類型的RIE系統，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統中，利用RF供電的磁場產生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實現非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產生定向電場以實現更多的各向異性蝕刻輪廓。 操作方法：通過向晶片盤片施加強RF（射頻）電磁場，在系統中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產生等離子體 。在場的每個循環中，電子在室中上下電加速，有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時，響應于RF電場，更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統的電子狀態。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發生化學反應，但也可以通過轉移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞，反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻，用于挖掘深部特征。
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滬公網安備 31011502008050號