德國 ALLRESIST 紫外光刻膠

1. 紫外光刻膠（Photoresist）

1）各種工藝：噴涂專用膠，化學放大膠，lift-off膠，圖形反轉膠，高分辨率膠，LIGA用膠等。

2）各種波長: 深紫外(Deep UV)、I線(i-line)、G線(g-line)、長波(longwave)曝光用光刻膠。

3）各種厚度: 光刻膠厚度可從幾十納米到上百微米。

• 電子束光刻膠（電子束抗蝕劑）（E-beam resist）

1）電子束正膠：PMMA膠，PMMA/MA聚合物， LIGA用膠等。

2）電子束負膠：高分辨率電子束負膠，化學放大膠（高靈敏度電子束膠）等。

• 特殊工藝用光刻膠（Special manufacture/experimental sample）  

電子束曝光導電膠，耐酸堿保護膠，聚酰亞胺膠（耐高溫保護膠），全息光刻用膠，長波曝光膠，深紫外曝光膠等特殊工藝用膠。

4.配套試劑（Process chemicals） 

顯影液、除膠劑、稀釋劑、增附劑（粘附劑）、定影液等。

一．紫外光刻膠（Photoresist）

1. 正膠：

AR-P 1200 噴涂用光刻膠（Spray Coating）

適合噴涂（Spray Coating）的正性光刻膠，高靈敏度。膠層表面非常平整,且可很好的保護粗糙的襯底表面，可用于復雜工藝。

AR-P 3100 薄膠

高靈敏度光刻膠，膠膜薄且均勻。在玻璃和鍍鉻表面附著力好，可用于光學器件加工、掩膜制作、激光干涉曝光等。另有，AR-P 3170 可以做出 100nm，甚至更小的線條（幾十納米）。

AR-P 3200 厚膠

黏度大，可得到厚膠膜，厚度可達幾十微米，甚至上百微米。膠膜覆蓋能力好，適合粗糙的 Wafer 表面涂膠，可很好的保護結構邊緣。圖形剖面邊緣陡直。適合做LIGA或電鍍工藝等。

AR-P 3500，AR-P 3500T 通用型光刻膠

適于集成電路制造中的掩膜加工。高敏感、高分辨率且在金屬和氧化物表面附著力好。其中，AR-P 3500T是針對 AR-P 3500 系列進行優化，而新研制的一種光刻膠；性能和AR-P 3500相似，同時還具備了良好的耐等離子刻蝕性能，以及大的工藝寬容度。

AR-P 3700/3800 高分辨率光刻膠

可用于制作亞微米結構，如高集成電路等。甩膠層表面平整均勻，高敏感度，高對比，良好的結構穩定性，工藝要求范圍寬。AR-P 3840為染色的光刻膠，可以降低駐波和散射等的影響。

AR-P 5300 單層Lift-Off工藝用膠

Lift-off工藝用膠，利用普通的光刻工藝便可很容易得進行剝離工藝。高敏感、高分辨率，且與金屬和氧化物表面附著良好。

2. 圖形反轉膠

AR-U 4000 圖形反轉膠

通過調整工藝參數可實現正膠或負膠性能。圖形反轉工藝后，光刻膠呈現負膠性能，可以得到非常明星的倒梯形結果，用于lift-off工藝。

3.負膠

AR-N 2200

適合噴涂（Spray Coating）的負性光刻膠，高靈敏度。膠層表面非常平整,且可很好的保護粗糙的襯底表面，可用于復雜工藝。

AR-N 4240 紫外、深紫外曝光，可做lift-off工藝

i線、深紫外曝光。適合制作亞微米圖形，專為滿足先進集成電路制造中的關鍵工藝要求而設計。良好的耐等離子體刻蝕性能，在金屬和氧化物表面的附著力好，并可用于lift-off工藝。

AR-N 4340 化學放大膠，紫外曝光，可做lift-off工藝

i線、g線曝光。化學放大膠，高靈敏度，高分辨率，高對比度，在金屬和氧化物表面附著力好，可用于lift-off工藝。

AR-N 4400 厚膠，化學放大膠，可以做lift-off工藝

i線、g線、深紫外、X-ray、電子束等都可以實現曝光。涂膠厚度從幾十微米到上百微米，覆蓋能力好，可用于表面粗糙的wafer表面涂覆，且剖面陡直，高分辨率。化學放大膠，靈敏度也非常高。可用于LIGA、電鍍等工藝。采用堿性水溶液顯影，除膠非常容易，可以提到傳統的SU8膠。

二．電子束抗蝕劑

1.正膠

PMMA（AR-P 631~ 671，AR-P 639~ 679，AR-P 672）

PMMA膠最主要的特點是高分辨率、高對比度、低靈敏度。

PMMA膠種類齊全，不同的系列中包含了各種分子量（50K, 200K, 600K, 950K），各種溶劑（氯苯，乳酸乙酯，苯甲醚）以及各種固含量的PMMA膠，以滿足各類電子束光刻的工藝要求。另外，廠商還可以根據客戶的具體需求來生產其他分子量、固含量的PMMA膠。

PMMA膠可用于單層或雙層電子束曝光、轉移碳納米管或石墨烯、絕緣層等多種工藝。

（注：工廠可根據用戶的需求，定制所需分子量、固含量的PMMA膠。）

AR-P 617 （PMMA/MA共聚物）

適合目前各種應用需要的電子束光刻膠。靈敏度高，是普通PMMA膠的3~ 4倍，對比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通過雙層工藝實現lift-off工藝。

AR-P 6200 超高分辨率、高耐刻蝕電子束正膠

高分辨率，通過簡單的工藝即可得到10nm甚至更小的結構。高深寬比（可達20:1），高對比度（>15）。良好的耐干法刻蝕性能，是PMMA膠的2倍。完全可以取代ZEP膠，經濟實惠，并且采購簡單，包裝規格多樣化。

AR-P 6510 （PMMA厚膠）LIGA工藝用正膠

以PMMA為基礎開發出的電子束厚膠，厚度從10~250μm不等，圖形剖面陡直。主要用于LIGA工藝和X-Ray 曝光工藝。

2.負膠

AR-N 7500， AR-N 7520 電子束負膠，高分辨率

分辨率高（30nm），對比度高（> 5），良好的耐等離子刻蝕性能，可以用于混合曝光。靈敏度中等，介于AR-N 7700和PMMA之間。

AR-N 7700 電子束負膠，化學放大膠，高靈敏度

化學放大負膠，高靈敏度，高對比度，良好的耐等離子刻蝕刻蝕性能，可以用于混合曝光。

AR-N 7720 電子束負膠，三維曝光

化學放大負膠，高靈敏度，對比度非常小（<1），非常適合制作三維結構；也可以用于衍射光學及全息器件的加工。

X AR-N 7700/30，SX AR-N 7700/37 電子束負膠，化學放大膠，超高靈敏度

化學放大負膠，超高高分辨率，良好的耐等離子刻蝕能力，適合混合曝光。高靈敏度，靈敏度比AR-N 7700更高。

三 .特殊用途的光刻膠

AR-PC 5090.02 /5091.02電子束曝光用導電膠，不含光敏物質。

在絕緣襯底上做電子束曝光時，為了避免電荷累積，大家通常會選擇涂一層導電膠，來消除電荷累積。在正常的曝光結束后，導電膠會溶于水中，非常容易去除，不會影響正常的電子束曝光工藝。

AR-BR 5400 雙層Lift-Off工藝底層膠

可以得到穩定的Lift-off結構，利于金屬的沉積。在制作雙層工藝時，需要和正膠AR-P 3500或AR-P 3500T配合使用。從270nm到紅外區，有良好的光學透明性，熱穩定性好。

AR-PC 500 耐酸堿保護膠

在酸堿中有很好的耐刻蝕性能，不含光敏物質。尤其在堿性環境（40% KOH）中非常穩定。一般涂于襯底背面，防止刻蝕工藝中的化學物質損害其背面結構。503顏色為黑色，較504耐刻蝕性能稍弱。

SX AR-PC 5000/40 耐酸堿保護膠

在酸堿中有很好的耐刻蝕性能，不含光敏物質。在40%的KOH和50%的HF中，具有很好的保護作用的，耐刻蝕時間可以長達數小時。另外，還可以和正膠配合使用，通過雙層工藝來制作圖形。

AR-P 5910 耐HF酸刻蝕光刻膠，正膠

對基底有很好的粘附性，一般用于低濃度的HF，在5% 以下的HF 酸中有很好的保護作用。

X AR-P 5900/4 耐堿刻蝕光刻膠，正膠

主要用于耐堿刻蝕以及保護層。光刻膠可以在2n（2mol/L）的NaOH中可以穩定很長時間。

SX AR-PC 5000/80 聚酰亞胺光刻膠，不含光敏物質

熱穩定性光刻膠，在400°C時仍然很穩定。不含光敏物質，但是可以和正膠配合使用，通過雙層工藝來制作圖形。可以用于制作傳感器材料、保護層及絕緣層。

SX AR-PC 5000/82 聚酰亞胺光刻膠，紫外正膠

熱穩定性光刻膠，正膠，在400°C時仍然很穩定。具有良好的耐等離子刻蝕性能，可用于離子注入工藝。

X AR-P 5800/7 深紫外曝光膠，正膠

深紫外曝光（248 - 265 nm 和300 - 450 nm），在這個波長范圍內，光刻膠的透射率高。耐刻蝕性能好。適合接觸曝光，曝光過程中，產生的氮氣少，可以提高圖形質量。

SX AR-P 3500/6 全息曝光用膠，正膠

在長波段具有很好的靈敏度，敏感波段為（308 – 500nm），主要用于全息曝光工藝。

SX AR-N 4800/16 有機溶劑顯影光刻膠（用于無水環境），負膠

基于PMMA的負膠，曝光波長230 – 365nm。主要用于工藝中襯底材料對水敏感，需要無水環境操作的情況。采用有機溶劑顯影，避免了水或潮氣對襯底材料的破壞。

四．配套試劑

顯影液

多種配套顯影液，可用于紫外光刻膠，電子束光刻膠、特殊用途用等光刻膠的顯影。

定影液

主要用于電子束光刻膠用定影液。

除膠劑

多種配套除膠劑，可用于紫外光刻膠，電子束光刻膠、特殊用途用等光刻膠的除膠。

稀釋劑

多種配套稀釋劑，可用于紫外光刻膠，電子束光刻膠、特殊用途用等光刻膠的稀釋。

增附劑

除了傳統的HMDS可作為增附劑外，我們還可以提供AR 300-80型增附劑，AR 300-80使用更簡單，毒性更小。