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RTP-1200小型快速退火爐(RTA)
- 品牌:韓國ECOPIA
- 型號: RTP-1200
- 產地:亞洲 韓國
- 供應商報價:面議
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上海載德半導體技術有限公司
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銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業執照
- 同類產品快速退火爐 RTP / RTA(2件)
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詳細介紹
RTP-1200小型真空快速退火爐(RTP/RTA)為韓國進口的快速退火爐。
該儀器:尺寸小巧,使用風冷、無須水冷,電流要求不高(3安培),性價比高,使用方便,非常適合科研院所的科研使用。
技術規格:
- 加熱方式:紅外鹵素鎢燈,600W;
- 鹵素紅外燈數量:4支;- 最快升溫速率:100℃/秒;
- 最快降溫速率:50秒(1000℃ → 400℃);
- 最高溫度:1200℃;
- 溫度精度:+/-0.3℃
- 最大樣品尺寸:20 x 20mm;
- 退火環境:真空、惰性氣體、空氣、其他工藝氣氛(如氧氣、氫氣等);
- 真空泵及極限壓力:機械泵,10-3Torr水平(選配);
- 電壓:220 V,單相;
- 儀器尺寸:400*300*450mm (W*D*H);
- 質量:凈重30Kg;
儀器特點:
- 可在真空/不同氣氛/空氣不同環境下,對樣品進行快速熱處理;
- 溫控精度高;
- 適合高校或研究所科研使用;
- 無須額外的冷卻系統;
- 緊湊的臺式設計;
- 儀器操作方便,樣片裝取容易;
- 價格合理,高性價比;
應用領域:
- 快速熱退火 (Rapid Thermal Annea領,RTA);
- 快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);
- 快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);
- 硅化 (Silicidation);
- 擴散 (Diffusion);
- 化合物半導體退火 (Compound Semiconductor Annea領);
- 離子注入后退火 (Implant Annea領);
- 電極合金化 (Contact Alloying);
- 晶化和致密化 (Crystallization and Densification);
- 合金熔點分析;
- 薄膜沉積;
等等…
技術資料