分享 收藏

華測電壓擊穿試驗儀北京華測電壓擊穿試驗儀

品牌：北京華測
型號： HCDJC-50kV
產地：北京海淀區
供應商報價：面議

北京華測試驗儀器有限公司更新時間：2025-04-09 19:57:08

銷售范圍售全國

入駐年限第8年

營業執照已審核

同類產品電壓擊穿試驗儀(53件)

立即掃碼咨詢

聯系方式：400-822-6768

聯系我們時請說明在儀器網（www.ghhbs.com.cn）上看到的!

掃碼分享

為您推薦

華測電壓擊穿試驗儀北京華測電壓擊穿試驗儀核心參數

輸出電壓

50kV

輸出功率

3KVA

產品特點

TVS瞬間YZ防護技術：
電壓擊穿試驗儀大都采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對于電弧放電過程中的浪涌對控制系統的防護起不到任何作用。華測獨立開發的TVS瞬間YZ防護技術，將起到對控制系統的防護。
多級循環電壓采集技術：
材料擊穿后，瞬間放電速度約為光速的1/5～1/3,國際通用的方法為壓降法進行采集擊穿電壓。即變壓器的初級電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產生偏差。而采用多級循環采集技術對擊穿后的電壓采集將解決此難題。
雙系統互鎖技術及隔離屏蔽技術：
國內**采用雙系統互鎖技術應用于電擊穿儀器，華測生產的電壓擊穿儀器不僅具備過壓、過流保護系統，它獨有的雙系統互鎖機制，當任何元器件出現問題或單系統出現故障時，將瞬間切斷高壓。技術，將起到對控制系統的防護。

詳細介紹

電壓擊穿試驗儀

材料在電壓擊穿試驗儀進行材料絕緣強度試驗的的同時，回路中電流增加和試樣兩端電壓下降。電流的增加可使斷路器跳開或熔絲燒斷。但是有時也可由于閃絡、試樣充電電流、漏電或局部放電電流、設備磁化電流或誤動作而引起斷路器跳開。因此，斷路器應與試驗設備及被試材料的特性相匹配，否則，斷路器可能會在試樣未擊穿時動作或當試樣擊穿時斷路器不動作，這樣便不能正確地判斷出是否擊穿。即使在**的條件下，也存在周多有關材料圍媒質先擊穿的情況也會發生。因此，在試驗過程中要注意觀察和檢測這些現象，若發現媒質擊穿，應按在報告中注明。

對漏電檢測電路敏感性特別重要的那些材料，在這種材料的標準中也應作同樣的說明。程序在垂直于材料表面方向試驗時通常容易判斷，無論通道是否充有碳粒，當擊穿發生后用肉眼容易看到真正擊穿的通道。當平行于材料表面方向試驗時，要求判斷是由試樣破壞引起的擊穿現象還是由閃絡引起的失效中心得到。可以通過檢查試樣或使用再施加一次電壓的辦法來進行鑒別，再次施加的電壓值應小于第yi次施加的擊穿電壓值。試驗證明，再次施加的電壓值為第yi次擊穿電壓值的50%比較合適，然后用與第yi次試驗相同的方法升壓直到破壞。下面推薦一款針對于材料電壓擊穿試驗儀中比較穩定的設備。

主要特點

電壓擊穿試驗儀大都采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對于電弧放電過程中的浪涌對控制系統的防護起不到任何作用。華測獨立開發的TVS瞬間YZ防護技術，將起到對控制系統的防護。

● 多級循環電壓采集技術：

材料擊穿后，瞬間放電速度約為光速的1/5～1/3,國際通用的方法為壓降法進行采集擊穿電壓。即變壓器的初級電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產生偏差。而采用多級循環采集技術對擊穿后的電壓采集將解決此難題。

● 低通濾波電流監測技術:

高壓壓放電過程中將產生高頻信號。而無論是國產與進口電流采集傳感器，大都為工頻電流傳感器。而采集過程中無法將高頻信號處理時，從而造成檢測不準確。無論是采用磁通門或霍爾原理所設計的傳感器存在擊穿后瞬間輸出電壓或電流信號過大，從而燒壞控制系統的采集部分。華測開發的低濾波電流采集傳感器將高頻雜波信號進行相應處理。同流采集華測自主開發的保護模塊來保證采集精度與保護采集元件。

● 雙系統互鎖技術及隔離屏蔽技術：

國內**采用雙系統互鎖技術應用于電擊穿儀器，華測生產的電壓擊穿儀器不僅具備過壓、過流保護系統，它獨有的雙系統互鎖機制，當任何元器件出現問題或單系統出現故障時，將瞬間切斷高壓。

● SPWM電子升壓技術

目前進口設備大都采用SPWM電子升壓技術，這一技術具有升壓速度平穩，精度高。便于維護等優點是調壓器無法比擬的。

符合標準

GB1408.1-2016《絕緣材料電氣強度試驗方法　第1部分；工頻下試驗、第2部分》

GB/T1695-2005《硫化橡膠工頻擊穿電壓強度和耐電壓的測定方法》

GB/T 3333-1999《電纜紙工頻擊穿電壓試驗方法》

GB/T 1 2656-1990《電容器紙工頻擊穿電壓測定法》

ASTM D149 - 09 《固體電絕緣材料在商用電源頻率下的介電擊穿電壓和介電強度的標準試驗方法》 DL/T 3 76-2010 復合絕緣子用硅橡膠絕緣材料通用技術條件

儀器參數

試驗電壓：50kV （20kV\50kV100kV\150kV）電壓精度：±1%