產品介紹：

Thermo Scientific Hyperion II 系統可帶來快速、準確的晶體管探測電性表征和故障定位功能，為半導體技術發展、良率提升以及器件可靠性的改善提供有力的支持。Hyperion II 系統卓 越的穩定性可將納米探測帶入低至 5 nm 及以下的技術節點。 

Hyperion II 系統的 SPM 技術支持 PicoCurrent 成像，該技術可快速識別短路、開路、漏電路徑和電阻觸點，其靈敏度比被動式電壓對比度高 1,000 倍以上。掃描電容顯微鏡檢查 (SCM) 模塊提供基于圖像的絕緣體上硅 (SOI) 晶片故障定位，以及高分辨率摻雜劑譜圖分析。

PicoCurrent 圖像（左）指示可疑晶體管，而 I-V 曲線（右）驗證異常電性。      

電流-電壓 (I-V) 測量

探測目標區域內的多個晶體管以定位故障是一項耗時的工作。Hyperion II 系統結合了 I-V 探測的 PicoCurrent 成像功能，可快速找到潛在缺陷，并測量電流-電壓曲線，不會引入測量相關偏移。

C-V 用于研究氧化物層、界面阱和電荷載體密度。Hyperion II 系統提供高分辨率 C-V，具有出色的阻抗控制、低漏電和極低噪聲。

電容電壓 (C-V) 測量

C-V 用于研究氧化物層、界面阱和電荷載體密度。Hyperion II 系統提供高分辨率 C-V，具有出色的阻抗控制、低漏電和極低噪聲。

脈沖 I-V 用于研究高 k 介質中 SOI 和捕獲電荷的自加熱。Hyperion II 系統可對器件進行高速測試，上升時間短于 2 納秒。

脈沖 I-V 測量

脈沖 I-V 用于研究高 k 介質中 SOI 和捕獲電荷的自加熱。Hyperion II 系統可對器件進行高速測試，上升時間短于 2 納秒。