ThermoScientificNicolet硅分析系統性能，擁有成本低，可靠性高。
Nicolet分析系統可以快速測量間隙碳和間隙氧以及外延薄膜厚度，適用于半導體晶片生產和太陽硅應用。經光伏硅轉換太陽能的需求持續顯著增長，Nicolet硅分析系統可提供快速、可靠的多功能分析。

Nicolet硅分析系統的處理選項包括：1）自動分析300mm（最大）的晶片；2）低成本手動測量單個點。本系統可提供行業趨勢變化所需的靈活性，可用于方形晶片和金屬片的分析。

具有硅分析選項，可以滿足各種預算需求。所有解決方案均包括軟件工具，其中包括：

碳、氧和外延薄膜（300nm至7500nm）分析

定量算法廣泛，擴展了功能，其中包括：線性回歸法、經典最小二乘法(CLS)和偏最小二乘法(PLS)

支持ASTM和JEIDA標準，可以測量替代碳和間隙氧

此高級自動分析系統以Nicoletx700光譜儀為基礎，可滿足要求苛刻的操作環境。此應用軟件具有完全自動化的掃描成像平臺，所含軟件可以實現：

靈活的測量選擇：從單點繪制到整個晶片繪制

處理300mm（最大）的晶片

透射與反射能力測量：可以接受的材料和薄膜非常廣泛

簡便的用戶操作

此手動分析系統基于Nicoletx700或NicoletiS10FT-IR光譜儀，適用于要求不太苛刻的QA/QC應用。此系統在樣品室中使用手動旋轉平臺，包括：

單點分析手動定位樣品

在樣品室中處理晶片

具有透射測量能力，可以接受眾多材料和薄膜

推薦應用:

測量硅中碳和氧的含量，以便對光伏器件進行過程控制

介電薄膜中摻雜物的濃度級別（BPSG、PSG、FSG等）

氮化硅薄膜中的氫含量

外延薄膜厚度

MEMS器件厚度

硅片中的代位碳和間隙氧含量