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ORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
- 品牌:美國ORTEC
- 型號: GEM,GMX,GEM ,GWL,SGD
- 產地:美洲 美國
- 供應商報價:¥2000000
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北京泰坤工業設備有限公司
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銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業執照已審核
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詳細介紹
ORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
ORTEC高純鍺探測器HPGe
ORTEC高純鍺HPGe探測器制造已有近半世紀的歷史,多年來不斷發展和提升探測器的性能和種類,可提供不同種類的探測器,相對效率涵蓋5%至200%,滿足不同領域的特殊應用。
GEM,GMX,GEM ,GWL,SGD
探測器:
GEM系列:P型同軸HPGe探測器
GMX系列:N型同軸HPGe探測器
GEM Profile系列:P型優化同軸HPGe探測器
GWL系列:井型HPGe探測器
SGD系列:核保障與無損分析專用HPGe探測器
多道分析器:
高的數據通過率:大于100Kcps
數字化穩譜、數字化自動極零、自動zuiyou化
用戶可預置多個核素的MDA,在所有MDA滿足時自動終止計數
道數:16K道
非線性:積分非線性:≤ ±0.025%;微分非線性:≤ ±1%
溫度系數:增益:<35ppm/°C;零點:<3 ppm/°C
軟件:
ORTEC的譜獲取軟件可識別并處理其所有形式和型號的MCA的信號,對于系統的一切參數設置在同一軟件界面下完成;有非常靈活、完整的報告生成方式。
具體的功能包括能譜獲取,能量刻度,全能峰識別,編輯核素峰庫,建立、存儲和打印感興趣區(ROI),通過簡單的“任務流”自動執行任務等。軟件可實現的參數設置包括:增益細調、啟動數字化穩譜、調節高壓、顯示實時間/活時間和脈沖寬度、設置上下甄別閾等。
其它附件:
便攜式液氮罐
電制冷
國產低本底鉛室:本底值:2.0cps(40%HPGe,全譜)
厚度:10cm低本底鉛(可選15cm老鉛)
內腔尺寸:Φ30cm x 40cmORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
半導體(高純鍺和Si(Li))探測器擁有精銳的能量分辨率,由其組成的γ和X射線能譜測量技術與產品,不僅是核結構、分子物理、原子碰撞等核物理與核反應研究的重要工具,而且在核電、環境、檢驗檢疫、生物醫學、天體物理與化學、地質、法學、考古學、冶金和材料科學等諸多科學與社會領域得到了越來越廣泛的應用。
四十多年來,ORTEC 探測器種類不斷豐富、性能不斷提高,在探測效率上,能提供相對效率200%的P型同軸探測器、175%效率的P型優化(“寬能”)同軸探測器和100%效率的N型探測器。ORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
一、 探測器機理與各指標的簡要意義
放射性核素產生的γ光子和X射線,其能量一般在keV至MeV范圍。由于其不帶電荷,通過物質時不能直接使物質產生電離,不能直接被探測到,因此γ和X射線的探測主要依賴于其通過物質時與物質原子相互作用,并將全部或部分光子能量傳遞給吸收物質中的一個電子。這種相互作用表現出光子的突變性和多樣性,在吸收物質中主要產生三種不同類型的相互作用:光電效應、康普頓效應或電子對效應,而產生的次級電子(光電子)再引起物質的電離和激發,形成電脈沖流,電脈沖的幅度正比于γ和X射線的能量。三種效應中,光電效應中γ光子把全部能量傳遞給光電子而產生全能峰,是譜儀系統中用于定性定量分析的主要信號;而康普頓效應和電子對效應則會產生干擾,應盡可能予以YZ。
在譜儀中,探測器(包括晶體、高壓和前置放大器)實際上是一個光電轉換器,將光子的能量轉變成幅度與其成正比的電脈沖。然后通過譜儀放大器將該脈沖成形并線性放大,再送入模數變換器即ADC中將輸入信號根據其脈沖幅度轉變成一組數字信號,并將該數字信號送入多道計算機數據獲取系統,由相關軟件形成譜圖并進行分析。
以下簡要闡明所涉及的相關物理概念:
1、相對效率、效率與實際效率
相對探測效率(即標稱效率)的定義:按ANSI/IEEE Std. 325-1996定義,Co-60點源置于探測器端面正上方25cm處,對1.33MeV能量峰,半導體探測器與3"×3" NaI探測器計數率的比值,以%表示。效率:Co-60點源置于探測器端面正上方25cm處,1.33MeV能量峰處所產生的實際探測效率(3"×3"NaI探測器,此效率為0.12%)。實際探測效率:取決于感興趣核素所在能量峰、探測器的晶體結構、實際樣品的形狀、體積及探測器與樣品間的相對位置關系等因素。
針對低活度樣品的測量,通過提高實際探測效率以提高測量靈敏度是選擇探測器的出發點。
2、 能量分辨率(FWHM):探測器或系統對不同能量γ和X射線在探測中的分辨能力,通常以半高寬(FWHM,全能峰高度一半處所對應的能量寬度)表示。比如對于1.33MeV能量峰,按ANSI/IEEE Std. 325-1996定義,Co-60點源置于探測器端面正上方25cm處,在計數率為1kcps時的全能半高寬。由于高純鍺探測器的分辨率本身已經相當精銳,除了在中子活化、超鈾元素分析等少數應用中,能量分辨率已不是S要考慮的因素。更加實際的分辨率問題是在高計數率和計數率動態變化(如中子活化、裂變產物、在線監測、現場測量)情況下,如何保證分辨率盡可能的穩定。
3、 康普頓效應與峰康比
γ光子與探測器中的半導體原子的電子相互作用時,將部分能量傳遞給電子,剩余能量的γ光子以一定的角度散射出去,成為康普頓散射。康普頓效應的結果會導致在低能部分的全能峰下方形成康普頓坪,成為相關能量峰的本底或甚至淹沒此能量峰。
峰康比:對1.33MeV能量峰,指其全能峰的中心道計數與1.040MeV至1.096MeV區間內康普頓坪的平均道計數之比。
4、 峰形
表征全能峰對稱性之指標,通常以FTWH(十分之一全高寬)與FWHM(半高寬)之比表示。為嚴格定義峰形,ORTEC對部分探測器同時提供F.02WH(五十分之一全高寬)與FWHM(半高寬)之比。ORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
二、 ORTEC所有同軸探測器全面嚴格保證能量分辨率、峰康比和峰形指標。
1、ORTEC HPGe與Si(Li)探測器的分類與特點:
GEM系列: P型同軸HPGe探測器ORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
GEM Profile系列: P型優化同軸HPGe探測器
同一型號的探測器采用相同的晶體結構和尺寸,從而保證了相當一致的效率曲線;
GEM-M系列:專門設計適用于馬林杯狀樣品的測量,探測器端窗直徑與晶體有效厚度一致;
GEM-F系列:采用扁平結構晶體(直徑>長度),對于濾紙、濾膜等薄層樣品的測量能獲得最理想的實際探測效率;
GEM-FX系列:有著-F系列類似的晶體結構,但采用超薄的接觸極和碳纖維端窗,能量響應范圍10keV至10MeV;還可作為超鈾元素測量的理想選擇;提供15%,20%和50%三種探測效率選擇;
GEM-MX系列:結合-M與-FX工藝,能量響應范圍10keV-10MeV,尤其適合于馬林杯狀樣品;提供38%, 66%,115%和175%四種效率選擇;
GEM-FX與GEM-MX在整個10keV至10MeV(“寬能”)的能量范圍內都有十分優異的能量分辨率,從指標與實用意義上實現了傳統P型與N型探測器的“優勢組合”。
ORTEC高純鍺探測器HPGeORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
Actinide-85: 肺部計數HPGe探測器:
采用GEM-FX8530探測器工藝,用于肺部計數探測器;采用超低本底冷指材料和整體碳纖維封裝結構。
SLP系列: X-射線Si(Li)探測器:
用于X-射線能譜測量;能量響應范圍1keV至30keV;有效面積12.5至200mm2。ORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
對于700keV以下的能量峰,120cc體積的井式探測器已能很好的滿足探測效率的要求,增大探測器體積并沒有太多的實際意義。
ORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
2、探測器的附屬選項及其意義
ORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀
ORTEC高純鍺(HPGe)γ能譜儀