- 2025-01-21 09:32:06排放核算方
- 排放核算方指負責溫室氣體排放核算和報告的機構或組織。其職責包括收集企業排放數據、按照標準和方法進行分析，并編制排放報告。排放核算方確保數據的準確性和可比性，為政府、企業和公眾提供可靠的排放信息。其在環境保護和氣候變化中發揮著重要作用，有助于推動減排行動，促進可持續發展。
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排放核算方相關內容
排放核算方資訊
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- 生態部發布《企業溫室氣體排放核算方法與報告指南 發電設施》征求意見稿
- 本標準適用于全國碳排放權交易市場的發電行業重點排放單位(含自備電廠)使用化石燃料和 摻燒化石燃料的燃煤、燃油、燃氣純凝發電機組和熱電聯產機組等發電設施的溫室氣體排放核算。
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排放核算方問答
- 2023-07-25 14:27:53ALD在鋰電池方面的應用
- 鋰離子電池在充放電過程中，鋰離子在正負極之間穿梭。在充電過程中，鋰離子從正極脫出經過電解液和隔膜到達負極發生反應。在放電過程中鋰離子從負極返回正極嵌入正極材料。在循環過程中，正極材料面臨許多的問題如自身體積的變化，晶體結構的改變，界面結構的退化等導致的容量衰減。同樣的，負極材料也面臨著體積膨脹，枝晶的生長導致的負極材料的粉碎溶解、從集流體表面剝離脫離、電接觸變差，短路等一系列問題，這些問題導致材料的容量和循環性能嚴重下降，甚至電池的起火爆炸。 原子層沉積（ALD）薄膜沉積可以合成具有原子級精度的材料，基于自限的膜納米級的控制，可以實現多組分膜的化學成分控制、大面積的薄膜/工藝的可重復性，具備低溫處理以及原位實時監控等技術特征。該技術在鋰離子電池，太陽能電池，燃料電池以及超級電容器中都具有廣泛的應用。 ALD已經被公認是一種非常有前途的工具可以用來解決鋰離子電池以及其他電能儲存設備所面臨的問題。ALD在鋰離子電池中的應用主要分為兩個方面：(1)高性能電池電極，隔膜，集流體材料等的制備；(2)表面修飾。其應用主要總結在下圖：1、ALD在電極材料及電解質制備中的應用a、ALD 用于負極材料的制備采用ALD技術制備的負極材料主要集中在過渡金屬氧化物(TMOs), 如RuO2, SnO2, TiO2和ZnO. 其能量密度比傳統的石墨電極高。同時，為了解決TMOs負極材料所面臨的挑戰，如SnO2在循環過程中較大的體積變化，TiO2低的電子跟離子電導率，由超高電導率的碳基材料如石墨烯，碳納米管以及Mxenes與TOMs組成的復合負極材料可以很好的融合兩者的優勢。如：ALD制備的TiO2/CNF-CFP(carbon fiber paper)負極，具有高可逆容量（272 mAh g?1 at 0.1 A g?1），超高倍率性能(133 mAh g?1 at 40 A g?1) 以及超長循環穩定性（≈ 93%容量保持率在10000 圈 at 20 A g?1）。b、用于正極材料的制備通過ALD技術制備的正極材料有非鋰化正極如V2O5, FePO4; 鋰化正極如LiFePO4, LiCoO2以LixMn2O4。如TiO2/V2O5/@CNT paper正極在100 mA g-1的電流密度下的放電比容量為400 mAh g-1，達到了理論放電比容量。 同時，正極材料V2O5的溶解問題可以通過TiO2層得到，同時不損失容量跟倍率性能。c、SSEs固態電解質的制備歸功于其安全性及循環穩定性，全固態鋰離子電池近來成為了研究的熱點。ALD可以解決全固態鋰離子電池所面臨的兩大關鍵性挑戰：a.高界面阻抗，b.低離子電導率。 最近采用ALD制備的固態電解質有LiPON, Li7La3Zr2O12, LixAlySizO, LixTayOz, LixAlyS and Li2O-SiO2.這些含鋰SSEs提供了一個關鍵的技術平臺來制備高能量密度，長壽命以及安全的可充放電池。如下圖所示，ALD制備的LLZO為制備3D全固態鋰離子微電池提供了一條技術路線。2、ALD在電池電極，隔膜，集流體等表面修飾領域的應用a、ALD對負極表面修飾的應用在負極材料中，ALD表面/界面修飾技術主要為了解決從SEI膜引發的系列問題。在循環過程中，SEI膜的大量形成以及體積變化會引起電極的破壞，從而引發新的暴露面導致容量的衰減。如在石墨負極表面沉積Al2O3可以在電池循環了200圈之后有效地保持98%的首圈容量。鋰金屬作為負極材料的未來之星，在鋰金屬的沉積跟剝離過程中，鋰枝晶的生長導致電池短路的問題亟待解決。采用ALD技術在鋰金屬表面構建例如有機/無機復合人工SEI膜，可以有效地抑制鋰枝晶的生長。b、ALD對正極表面的修飾作用為了解決正極材料表面所面臨的電解液分解，相變，析氧以及過渡金屬溶解等問題,采用ALD技術在正極材料表面沉積保護層可以作為物理阻擋層或者HF清除層，從而有效地提高電池的循環穩定性跟倍率性能。在正極材料（層狀結構：LiCoO2, LiNixMnyCozO2,富鋰(Li-rich)xLi2MnO3·(1 ? x)LiMO2(M = Mn, Ni, Co)，尖晶石結構LiMn2O4)表面沉積的ALD鍍層主要可以分為四類：a金屬氧化物：Al2O3, TiO2, ZrO2, MgO, CeO2, Ga2O3; b氟化物：AlF3, AlWxFy; c磷化物：AlPO4,FePO4; d含鋰化合物：LiAlO2, LiTaO3, LiAlF4。
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- 2023-07-21 10:25:31ALD在鈣鈦礦方面的應用
- “碳達峰”和“碳中和”一直都是能源領域的熱點話題，作為助力“雙碳”戰略的生力軍，光伏產業具有舉足輕重的地位。目前光伏的主力是硅太陽能電池，它們具有效率高、穩定性好、產業鏈完備、使用壽命長的優勢。然而，晶硅電池的轉換效率到達瓶頸，且從硅料到組件至少經過4 道工序，單位制程需要3 天以上，同時還需要大量人力、運輸成本等。為了讓太陽能的利用更加便捷、高效且廉價，科學界和工業界正在研制新型太陽能電池；鈣鈦礦太陽能電池就是備受關注的后起之秀，鈣鈦礦疊層效率極限可達50%，而鈣鈦礦組件在單一工廠完成生產，原材料經過加工后直接成組件，沒有傳統的“電池片”工序，大大縮短制程耗時。但是，如何制備大面積且能保持較高效率的鈣鈦礦太陽能電池，依然是難題，也成了制約其產業化應用的瓶頸。 原速ALD在鈣鈦礦電子傳輸層、空穴傳輸層、鈍化層、封裝阻水層等領域已取得了突破性進展，獲得了業界的認可。為了更高效地服務于世界光伏產業高地，原速也在上海建立了技術研發中心。截止目前，公司已形成服務于鈣鈦礦電池研發、中試、100MW、 GW級量產的產線ALD技術解決方案。1、ALD-SnO2 應用于鈣鈦礦電池電子傳輸層 ? ALD 相比于傳統沉積技術，在制備超薄膜時具有更優異的均勻性和保形性，以及缺陷更少的優點 2、ALD-NiO 應用于鈣鈦礦電池空穴傳輸層 ? ALD 可用于制備性能優異的超薄（
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- 2023-08-18 10:17:30手持光譜儀在貴金屬檢測方面的應用
- 手持光譜儀在貴金屬檢測方面有著廣泛的應用。以下是幾個常見的應用領域： 貴金屬鑒別：手持光譜儀可以通過分析貴金屬的光譜特征，確定其成分和純度。通過比對樣品光譜與已知貴金屬光譜數據庫，可以快速識別和鑒別金、銀、鉑等貴金屬。 市場監管：在貴金屬市場監管中，手持光譜儀可以幫助監測機構或消費者驗證貴金屬產品的真偽。通過對樣品進行光譜分析，可以確認產品是否含有標稱的貴金屬成分，防止假冒偽劣產品出現。 防偽溯源：手持光譜儀可以用于貴金屬產品的溯源和防偽。通過建立貴金屬產品的光譜數據庫，可以對產品進行標識，并通過光譜特征進行溯源驗證，確保產品的來源和真實性。 公安安全：手持光譜儀可用于犯罪現場勘查中貴金屬物證的鑒定。通過采集物證樣品的光譜，與參考光譜對比分析，可以確定物證中是否含有貴金屬，提供調查破案的線索。 環境監測：貴金屬在環境中的存在常常與污染有關。手持光譜儀可以用于現場快速檢測土壤、水體和空氣中貴金屬的含量，幫助環保部門進行環境監測和污染源追蹤。 手持光譜儀的應用在貴金屬領域具有非常重要的意義，它能夠提供快速、準確的貴金屬分析結果，為各個領域的工作提供支持和保障。 贏洲科技作為儀景通一級品牌代理商，擁有完整的售前售后服務體系，如有儀器購買或維修需求，可聯系贏洲科技為您提供原裝零部件替換、維修。
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- 2023-08-09 15:13:49原子層沉積ALD在納米材料方面的應用
- 在微納集成器件進一步微型化和集成化的發展趨勢下，現有器件特征尺寸已縮小至深亞微米和納米量級，以突破常規尺寸的極限實現超微型化和高功能密度化，成為近些年來的熱點研究領域。微納結構器件不僅對功能薄膜本身的厚度和質量要求嚴格，而且對功能薄膜/基底之間的界面質量也十分敏感，尤其是隨著復雜高深寬比和多孔納米結構在微納器件中的應用，傳統的薄膜制備工藝越來越難以滿足其發展需求。ALD 技術沉積參數高度可控，可在各種尺寸的復雜三維微納結構基底上，實現原子級精度的薄膜形成和生長，可制備出高均勻性、高精度、高保形的納米級薄膜。 微機電系統(MEMS)是尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內部結構一般在微米甚至納米量級，是一個獨立的智能系統，主要由傳感器、動作器(執行器)和微能源三大部分組成，廣泛應用于智能系統、消費電子、可穿戴設備、智能家居、系統生物技術的合成生物學與微流控技術等領域。MEMS的構造過程需要精細的微納加工技術，而工作過程伴隨著器件復雜的三維運動，其中ALD技術均可發揮重要作用，ALD具有高致密性以及高縱寬比結構均勻性，為MEMS機械耐磨損層、抗腐蝕層、介電層、憎水涂層、生物相容性涂層、刻蝕掩膜層等提供優質解決方案。 磁隧道結(MTJ)是由釘扎層、絕緣介質層和自由由層的多層堆垛組成。在電場作用下，電子會隧穿絕緣層勢壘而垂直穿過器件，電子隧穿的程度依賴于釘扎層和自由層的相對磁化方向。隨著MTJ尺寸的不斷縮小以及芯片集成度的不斷提高，MTJ制備過程中的薄膜生長工藝偏差和刻蝕工藝偏差的存在，將會導致MTJ狀態切換變得不穩定，并降低MTJ的讀取甚至會嚴重影響NV-FA電路中寫入功能和邏輯運算結果輸出功能的正確性。ALD技術沉積參數高度可控，可通過精準控制循環數來控制MTJ所需達到的各項參數，是適用于MTJ制造的最佳工藝方案之一。 生物物理學微流體器件可由單個納米孔和電極組成，也可以由許多納米孔陣列組成，可同時篩選、引導、定位、測量不同尺度的生物大分子，在生物物理學和生物技術領域中有著廣泛的應用前景。生物納米孔逐漸受到了人們的普遍重視引起了人們的廣泛興趣，尤其是納米孔作為生物聚合物的檢測器件，為一些生物化學現象的基礎研究提供了研究的平臺。然而生物納米孔所固有的一些缺陷也很明顯，如生物相容性差及微孔的尺寸不可更改等；針對于此，ALD技術可通過表面修飾，改善納米孔的生物相容性，同時提升抗菌抑菌和促進細胞合成。圖一: ALD Al2O3(僅~10 nm)可作為MEMS齒輪高硬度潤滑膜圖二：ALD應用于低溫MEMS器件構造圖三：MRAM磁隧道結（MTJ）存儲元件圖四：一種具有納米蛛網結構的細菌纖維素膜
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- 2023-08-24 14:21:37陰極發光設備（SEM-CL）在ZnO納米線方面的應用
- 由于ZnO具有寬的直接帶隙(3,37 eV)、大的激子結合能(60 meV)以及優異的光學、壓電和光電性能等特性，越來越多的應用領域認識到這種材料所帶來的好處，特別是在涉及半導體、壓電、光電和微納米級高柔性機械性能的應用中，ZnO微/納米線通常是許多領域的重要材料，包括：a、紫外激光器，探測器和光電二極管:基于ZnO在室溫下的寬直接帶隙和大激子結合能；b、太陽能電池:ZnO微納米線具有較大的陽光吸收窗口，而摻雜是調節寬帶隙的有效方法；c、納米發電機:由于半導體之間的強耦合特性，而ZnO微納米線具有壓電性；d、電化學應用:生物和化學傳感器；e、光學和機械應用:波導，應變和納米力傳感器。 陰極發光是研究半導體電子能帶結構的關鍵技術。它的應用領域包括缺陷分布分析、載流子動力學和能帶結構的表征，這些參數對提高高性能光學和電子器件的設計至關重要。Attolight CL系統的特點引出了一個新的研究領域:1、納米結構的全面表征:具有高達10nm的空間分辨率，它是研究局部和非局部應變效應最有力的工具之一，將對ZnO微納米線研究帶巨大影響；2、使用時間分辨升級，從而能在不同應變狀態下得到ZnO微納米線的載流子擴散和平均壽命；3、缺陷分析:對CL光譜的比較提供了缺陷級別的信息。
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